Transforming the Economics of Storage

Intel® 3D NAND Technology extends our leadership in flash memory with an architecture designed for higher capacity and optimal performance, a proven manufacturing process providing accelerated transitions and scaling, and rapid portfolio expansion for multiple market segments.

Storage Capacity Empowered by Intel® Innovation

Intel introduces the world’s first PCIe* SSDs with Intel® QLC Technology. Intel® QLC 3D NAND Technology provides up to 33% high areal density1 than its 3D NAND predecessor. It also uniquely features PCIe* acceleration, to deliver a reliable mix of performance, capacity, and value-making it a smart storage solution for both datacenter and client markets.

Intel® QLC Technology leverages current 3D NAND, with a proven 64-layer structure, and adds an additional bit per cell that provides 4bits/cell (QLC), making it the world's highest-density flash memory. Additionally, this technology uses a floating gate cell because it is a reliable, low-cost storage method. Last, Intel® QLC Technology was paired with PCIe*- (NVMe*) technology, to provide up to a 4x performance benefit over SATA interfaces.2

Prepare for the future with Intel QLC-built on reliable Intel® technology and backed by Intel manufacturing leadership.

Read the paper

Finally, SSD Performance Meets Big Business Value

For datacenters, Intel® QLC 3D NAND Technology radically shrinks HDD system footprints.3 Fewer systems to maintain lead to power and cooling savings4, while also reducing operation and capital costs associated with drive replacements.5 And while footprint goes down, performance goes up.6 PCIe* acceleration blasts through SATA bottlenecks7, unleashing the full power of QLC. When coupled with optional Intel® Optane™ technology, Intel® 3D NAND Technology datacenter products deliver even better performance2, accelerating access to data needed most.

Do more, store more, and save more with Intel® QLC Technology featured in the Intel® SSD D5-P4320 SeriesIntel® SSD D5-P4326 Series, and Intel® SSD D5-P4420 Series. Currently shipping in limited quantities.

Amazing Is Now Affordable

Intel® QLC 3D NAND Technology enables consumers to tackle today’s storage needs and prepare for the growing demands of tomorrow. These client SSDs pack in more data than TLC-based storage, allowing up to 2x more capacity in identical footprints.1 Only Intel coupled this game-changing technology with PCIe* to deliver affordable PCIe* performance.

Shop Intel® QLC 3D NAND SSD

Architected for Capacity and Reliability

Intel® 3D NAND Technology is an innovative response to the industry’s growing demand for data storage capacity. Compared to other available NAND solutions, Intel® 3D NAND Technology is designed on floating gate architecture with a smaller cell size and a highly efficient memory array, which enables higher capacity solutions and high reliability with strong protection from charge loss.

Innovation Leadership

64-Layer Breakthrough

Intel has applied 30 years of flash cell experience to transition NAND from 2D to 3D, multi-level cell (MLC) to tri-level cell (TLC), and 32-layer to our breakthrough 64-layer technology. All of this is done to deliver the highest areal density8 and rapidly grow storage capacities in 3D NAND solutions.

Expansive Portfolio

Built on a Proven Process

With 3D NAND technology, Intel delivers innovative, high-value capabilities into a broad product portfolio. Our experience of designing this architecture into SSD solutions enables us to rapidly improve performance, power consumption, performance consistency, and reliability with each generation.

Manufacturing Scalability

Enabling Disruptive Opportunities

Intel is using manufacturing processes proven by decades of high volume output to build 3D NAND technology. With strong generational synergy across our factory network, Intel expects to grow 3D NAND capacity faster than the market, enabling us to deliver disruptive total cost of ownership and application acceleration to our customer base.

Informações de produto e desempenho


A TLC (Tri-Level Cell, Célula de Três Níveis) contém 3 bits por célula e a QLC (Quad-Level Cell, Célula de Quatro Níveis) contém 4 bits por célula. Calculado como (4-3)/3 = 33% mais bits por célula.


Cluster vSAN* de 4 nós – configuração do sistema de 1 nó: Modelo de servidor: Intel Purley S2600WF (R2208WFTZS); MB: H48104-850; CPU: processador Dual Intel® Xeon® Gold 6142 de 2,6 GHz, 16C/32T, 10,4 GT/s, Cache de 22M, Turbo, HT (150 W) DDR4-2666; Memória: RDIMM de 16 GB, 2666 MT/s, Classificação dupla x16; NICs: Intel X520-DA2 10 GbE SFP+ DAC e LAN Intel X722 de 10 GbE incorporada. Todas as configurações de TLC (Tri-Level Cell, Célula de Três Níveis): o dobro com a Unidade de estado sólido Intel® para data center Série P4610 de 1,6 TB para armazenamento em cache e o quádruplo com a Unidade de estado sólido Intel® para data center Série P4510 de 4 TB para armazenamento de capacidade; Config. Intel® Optane™ Memory+QLC (Quad-Level Cell, Célula de Quatro Níveis): o dobro com a Intel® Optane™ SSD para data center P4800X de 375 GB para armazenamento em cache e o dobro com a Unidade de estado sólido Intel® D5-P4320 séries de 7,68 TB para armazenamento de capacidade. 2 Carga de trabalho: HCIBench: Número de VMs: 16, Número de discos de dados: 8, Tamanho do disco de dados: 60 Número de discos para teste: 8, Porcentagem de conjuntos de trabalho: 100, Número de segmentos por disco: 4, Tamanho do bloco: 4K, Porcentagem de leitura: 70, Porcentagem aleatória: 50, Tempo de teste: 3600. Resultados: config. P4610+P4510 = IOPs de 83.451 a uma latência de 6,3 ms. Config. P4800x+P43220 = IOPs de 346.644 a uma latência de 1,52 ms.


Comparando a HDD de Classe Empresarial WD Gold de 3,5 pol., 4 TB e 7200 RPM, permitindo até 24 HDDs por 2U e um total de 20U e 960 TB no total com a Unidade de estado sólido Intel® 30.72TB E1.L D-5 P4326 (disponível em uma data futura), permitindo até 32 por 1U e um total de 1U e 983 TB. Portanto, 20 unidades de rack para 1 unidade de rack.


Economia de custos com energia, resfriamento e consolidação. Baseada em HDD: HDD de 7,2K RPM e 4 TB, AFR de 2% e potência ativa de 7,7 W, 24 drives em 2U (potência total de 1971 W) SSD: potência ativa de 22 W, AFR de 44%, 32 drives no 1U (potência total de 704 W); Custo de resfriamento baseado no prazo de implantação de 5 anos com custo de US$ 0,158/Kwh e número de watts para resfriamento de 1 watt 1,20 Com base em 24 drives HDD 2U de 3,5 pol. e 32 drives EDSFF 1U longo. Armazenamento híbrido baseado no uso de Unidade de estado sólido Intel® TLC (Tri-Level Cell, Célula de Três Níveis) para cache.


Economia no custo de substituição de unidades. Cálculo: HD: AFR (Annualized Failure Rate, Taxa Anual de Falha) de 2% x 256 unidades x 5 anos = 25,6 substituições em 5 anos; SSD: AFR de 0,44% x 32 unidades x 5 anos = 0,7 substituições em 5 anos.


Compara IOPs de leitura aleatória de 4K e 32 de profundidade de fila entre a Intel® SSD D5-P4320 e a Unidade de Disco Rígido (HDD) Toshiba N300. 175.000 IOPS: dados medidos do Intel® SSD D5-P4320 da série SSD 7.68 TB. IOPs de leitura aleatória de 4K; 32 de profundidade de fila. IOPs 532: com base nos benchmarks da Tom’s Hardware para a HDD Toshiba N300 de 8 TB e 7,2K RPM. IOPs de leitura aleatória de 4K; 32 de profundidade de fila:,5277-2.html. Por isso, as IOPs de leitura aleatória de 4K são 329X melhores.


IOPs PCIe* baseadas na leitura aleatória simulada de 4K, profundidade da fila de 256, estimativas de desempenho conduzidas pela Intel das séries para PCIe* Intel® D5-P4320/D5-P4326 com base em SSDs QLC de diferentes capacidades: 3,84 TB, 7,68 TB, 15,36 TB e 30,72 TB. IOPs SATA configuradas para IOPs de 100K para todos os pontos de capacidade com base em IOPs de 100K, sendo o máximo possível para as atuais SSDs de base SATA competitivas da Micron. A ficha técnica das SSDs NAND Flash série 5200 da Micron apresentam IOPs QD32 de leitura aleatória de 4K de no máximo 95K IOPs de 3,84 TB e 7,68 TB.


Comparando a densidade de área dos dados avaliados pela Intel no 3D NAND Intel® de 512 GB com os concorrentes representativos, com base nos documentos da 2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference citando os tamanhos de chips Samsung Electronics e Western Digital/Toshiba para o componente 3D NAND de 64 camadas.