Intel® Optane™ Persistent Memory Série 100

módulo de 128 GB

Especificações

Desempenho

  • Largura de banda sequencial — 100% de leitura (no máximo) 1 GB/s
  • Largura de banda sequencial - 67% de leitura, 33% de escrita (no máximo) 1 GB/s
  • Largura de banda sequencial — 100% de escrita (no máximo) 1 GB/s
  • Largura de banda aleatória — 100% de leitura (no máximo) 1 GB/s
  • Largura de banda aleatória - 67% de leitura, 33% de escrita (no máximo) 1 GB/s
  • Largura de banda aleatória — 100% escrita (no máximo) 1 GB/s
  • Latência sequencial — Leitura (no máximo) 1 ns
  • Latência aleatória — Leitura (no máximo) 1 ns
  • Potência - TDP máximo 1 W
  • Frequência da interface (no máximo) 1

Confiabilidade

Informações complementares

  • Descrição resumida do produto Persistent Memory 100 Series
  • URL de informações adicionais Ver agora
  • Descrição Persistent Memory 100 Series

Especificações de encapsulamento

Pedidos e conformidade

Informações sobre especificações e pedidos

Intel® Optane™ Persistent Memory 128GB Module (1.0) 4 Pack

  • MM# 999AVV
  • Código de pedido NMA1XXD128GPSU4
  • IDs dos conteúdos das MDDS 707580

Intel® Optane™ Persistent Memory 128GB Module (1.0) 50 Pack

Informações de conformidade da marca

  • ECCN 5A992CN3
  • CCATS G159019
  • US HTS 8473301140

Informações sobre PCN

Drivers e software

Drivers e software mais recentes

Downloads disponíveis:
Todos

Nome

Suporte

Data de introdução

Data em que o produto foi introduzido pela primeira vez.

Condições de uso

Condições de uso são as condições operacionais e ambientais derivadas do contexto de uso do sistema.
Para obter informações sobre as condições de uso de um SKU específico, consulte Relatórios de PRQ.
Para ver as condições de uso atuais, consulte Intel UC (site CNDA)*.

Largura de banda sequencial — 100% de leitura (no máximo)

Velocidade com a qual o aparelho é capaz de carregar dados que formam um bloco de dados contíguo e ordenado. Medido em MB/s (MegaBytes por segundo)

Largura de banda sequencial — 100% de escrita (no máximo)

Velocidade com a qual o aparelho é capaz de carregar dados que formam um bloco de dados contíguo e ordenado. Medido em MB/s (MegaBytes por segundo)

Vibração - operacional

Vibração em estado ocioso indica a capacidade testada da unidade de estado sólido de resistir à vibração relatada no estado ocioso e permanecer funcional. Medida em RMS (valor quadrático médio) da força-G

Vibração - não-operacional

Vibração em estado ocioso indica a capacidade testada da unidade de estado sólido de resistir à vibração relatada no estado ocioso e permanecer funcional. Medida em RMS (valor quadrático médio) da força-G

Temperatura máxima de operação

Esta é a temperatura máxima de operação permitida conforme relatado pelos sensores de temperatura. A temperatura instantânea pode exceder esse valor por curtas durações. Nota: a temperatura observável máxima é configurável pelo fornecedor do sistema e pode ser específica do projeto.

Resistência sequencial - 100% escrita

Representa metas de resistência para módulos PMEM da Intel® Optane™ descritos como PBW (Petabyte Written). PBW estimado com base em considerações de largura de banda e resistência da mídia durante 5 anos de vida útil, assumindo a largura de banda máxima sequencial ao nível de potência declarada por 24h, todos os dias, 365 dias por ano. Os resultados foram estimados com base em uma análise interna da Intel e são fornecidos para fins informativos apenas. Qualquer diferença na configuração ou no design do hardware ou software do sistema pode afetar o desempenho.

Resistência aleatória - 100% escrita

Representa metas de resistência para módulos PMEM da Intel® Optane™ descritos como PBW (Petabyte Written). PBW estimado com base em considerações de largura de banda e resistência da mídia durante 5 anos de vida útil, assumindo a largura de banda aleatória máxima ao nível de potência declarada por 24h, todos os dias, 365 dias por ano. Os resultados foram estimados com base em uma análise interna da Intel e são fornecidos para fins informativos apenas. Qualquer diferença na configuração ou no design do hardware ou software do sistema pode afetar o desempenho.

Tempo médio entre falhas (MTBF)

MTBF (Tempo médio de horas entre falhas) indica o tempo de operação decorrido esperado entre as falhas. Medido em horas.

Taxa de erro de bits incorrigíveis (UBER)

UBER (Taxa de erro de bit incorrigível) indica o número de erros de bit incorrigíveis dividido pelo número total de bits transferidos durante um intervalo de tempo testado.

Período de garantia

O documento de garantia deste produto está disponível em https://supporttickets.intel.com/s/warrantyinfo?language=pt_BR.

Taxa de falha anualizada (AFR) % ≤

Taxa de falha anual é o número de PMEMs que podem falhar em um ano, representada como uma porcentagem.

Fator de forma

Formato indica o tamanho e a forma padrão do setor do aparelho.

Interface

Interface indica o método de comunicação de barramento padrão do setor empregado pelo aparelho.

Intel® Memory Bandwidth Boost

Intel® Memory Bandwidth Boost: se a tolerância térmica estiver disponível no módulo PMEM quando a temperatura for inferior a 83 °C, a CPU do host aumentará temporariamente o módulo PMEM até a TDP máxima para obter largura de banda adicional pela duração definida na BIOS entre 1-120 segundos

Proteção avançada de dados contra a perda de energia

A Proteção de Dados contra Queda de Energia prepara a unidade de estado sólido para queda de energia de sistema inesperada ao minimizar os dados em transição em buffers temporários, e usa capacitância de proteção contra queda de energia incorporada para fornecer energia suficiente para o firmware de unidade de estado sólido para transferir dados do buffer de transferência e outros buffers temporários ao NAND, protegendo o sistema e os dados do usuário.

Criptografia de hardware

A criptografia de hardware é realizada pela criptografia de dados no nível da unidade. Isso é usado para garantir que os dados armazenados na unidade estejam seguros contra invasões indesejadas.

High Endurance Technology (HET — Tecnologia de Alta Resistência)

High Endurance Technology (HET) em unidades de estado sólido combina aprimoramentos de silício de memória flash NAND Intel® e técnicas de gerenciamento de sistema unidade de estado sólido para ajudar a ampliar a resistência da unidade de estado sólido. Resistência é definida como a quantidade de dados que podem ser gravados em uma unidade de estado sólido durante seu período de vida.

Monitoração e registro em log da temperatura

Monitoração e registro em log da temperatura usa um sensor de temperatura interno para monitorar e registrar em log o fluxo de ar e a temperatura interna do aparelho. Os resultados registrados em log podem ser acessados usando o comando SMART.

Proteção de dados de End-to-End

A proteção de dados End-to-End garante a integridade de dados armazenados de computadores a aparelhos unidade de estado sólido.

Tecnologia Intel® de Resposta Inteligente

A Tecnologia Intel® de resposta inteligente combina o rápido desempenho de uma pequena unidade de estado sólido com a alta capacidade de um disco rígido.

Tecnologia Intel® Rapid Start

A Intel® Rapid Start Technology permite que o sistema retome rapidamente do estado de hibernação.

Intel® Remote Secure Erase

O Intel® Remote Secure Erase fornece aos administradores de TI um método seguro para limpar remotamente uma unidade de estado sólido Intel de um console de gerenciamento familiar quando desativando ou reorientando um sistema. Isto permite a reutilização imediata e ao mesmo tempo reduzindo o tempo de administração e custos.