Intel® Optane™ Memory H20 com armazenamento de estado sólido

32 GB + 512 GB, M.2 80 mm PCIe* 3.0, Intel® 3D XPoint™, tecnologia Intel® QLC

Especificações

Especificações de desempenho

Confiabilidade

Informações complementares

  • Descrição Premium storage solution featuring Intel Optane Memory Technology and 3rd Gen Intel 3D QLC NAND technology on a single M.2 form factor Drive

Especificações de encapsulamento

Drivers e software

Drivers e software mais recentes

Downloads disponíveis:
Todos

Nome

Intel® Memory and Storage Tool (GUI)

Intel® Memory and Storage Tool CLI (Command-Line Interface)

Tecnologia de armazenamento Intel® Rapid de instalação de driver com Intel® Optane™ memória (plataformas da 11ª até 13ª Geração)

Ferramenta de atualização de firmware de unidade de estado sólido Intel®

Suporte

Data de introdução

Data em que o produto foi introduzido pela primeira vez.

Condições de uso

Condições de uso são as condições operacionais e ambientais derivadas do contexto de uso do sistema.
Para obter informações sobre as condições de uso de um SKU específico, consulte Relatórios de PRQ.
Para ver as condições de uso atuais, consulte Intel UC (site CNDA)*.

Leitura sequencial (até)

Velocidade com a qual o aparelho é capaz de carregar dados que formam um bloco de dados contíguo e ordenado. Medido em MB/s (MegaBytes por segundo)

Gravação sequencial (até)

Velocidade com a qual o aparelho é capaz de carregar dados que formam um bloco de dados contíguo e ordenado. Medido em MB/s (MegaBytes por segundo)

Leitura aleatória (alcance de 8 GB) (até)

Velocidade com a qual a unidade de estado sólido é capaz de carregar dados de locais arbitrários na memória, dentro do intervalo de 8GB do endereçamento de bloco lógico (LBA) na unidade. Medida em IOPS (Operações de Entrada/Saída por Segundo)

Gravação aleatória (alcance de 8 GB) (até)

Velocidade com a qual unidade de estado sólido é capaz de carregar dados de locais arbitrários na memória, dentro do intervalo de 8GB do endereçamento de bloco lógico (LBA) na unidade. Medida em IOPS (Operações de Entrada/Saída por Segundo)

Energia - ativa

Potência ativa indica o consumo típico de energia do aparelho quando ele está operando.

Energia - ociosa

Potência ativa indica o consumo típico de energia do aparelho quando ele está operando.

Vibração - operacional

Vibração em estado ocioso indica a capacidade testada da unidade de estado sólido de resistir à vibração relatada no estado ocioso e permanecer funcional. Medida em RMS (valor quadrático médio) da força-G

Vibração - não-operacional

Vibração em estado ocioso indica a capacidade testada da unidade de estado sólido de resistir à vibração relatada no estado ocioso e permanecer funcional. Medida em RMS (valor quadrático médio) da força-G

Choque (operacional e não operacional)

Choque indica a capacidade testada da unidade de estado sólido de resistir ao choque relatado nos estados operante e ocioso e permanecer funcional. Medido em força-G (Máx.)

Classificação de resistência (gravações no período de vida)

Taxa de resistência indica os ciclos previstos de armazenamentos de dados durante a vida útil do aparelho.

Tempo médio entre falhas (MTBF)

MTBF (Tempo médio de horas entre falhas) indica o tempo de operação decorrido esperado entre as falhas. Medido em horas.

Taxa de erro de bits incorrigíveis (UBER)

UBER (Taxa de erro de bit incorrigível) indica o número de erros de bit incorrigíveis dividido pelo número total de bits transferidos durante um intervalo de tempo testado.

Período de garantia

O documento de garantia deste produto está disponível em https://supporttickets.intel.com/s/warrantyinfo?language=pt_BR.

Fator de forma

Formato indica o tamanho e a forma padrão do setor do aparelho.

Interface

Interface indica o método de comunicação de barramento padrão do setor empregado pelo aparelho.

Proteção avançada de dados contra a perda de energia

A Proteção de Dados contra Queda de Energia prepara a unidade de estado sólido para queda de energia de sistema inesperada ao minimizar os dados em transição em buffers temporários, e usa capacitância de proteção contra queda de energia incorporada para fornecer energia suficiente para o firmware de unidade de estado sólido para transferir dados do buffer de transferência e outros buffers temporários ao NAND, protegendo o sistema e os dados do usuário.

Criptografia de hardware

A criptografia de hardware é realizada pela criptografia de dados no nível da unidade. Isso é usado para garantir que os dados armazenados na unidade estejam seguros contra invasões indesejadas.

High Endurance Technology (HET — Tecnologia de Alta Resistência)

High Endurance Technology (HET) em unidades de estado sólido combina aprimoramentos de silício de memória flash NAND Intel® e técnicas de gerenciamento de sistema unidade de estado sólido para ajudar a ampliar a resistência da unidade de estado sólido. Resistência é definida como a quantidade de dados que podem ser gravados em uma unidade de estado sólido durante seu período de vida.

Monitoração e registro em log da temperatura

Monitoração e registro em log da temperatura usa um sensor de temperatura interno para monitorar e registrar em log o fluxo de ar e a temperatura interna do aparelho. Os resultados registrados em log podem ser acessados usando o comando SMART.

Proteção de dados de End-to-End

A proteção de dados End-to-End garante a integridade de dados armazenados de computadores a aparelhos unidade de estado sólido.

Tecnologia Intel® de Resposta Inteligente

A Tecnologia Intel® de resposta inteligente combina o rápido desempenho de uma pequena unidade de estado sólido com a alta capacidade de um disco rígido.

Tecnologia Intel® Rapid Start

A Intel® Rapid Start Technology permite que o sistema retome rapidamente do estado de hibernação.

Intel® Remote Secure Erase

O Intel® Remote Secure Erase fornece aos administradores de TI um método seguro para limpar remotamente uma unidade de estado sólido Intel de um console de gerenciamento familiar quando desativando ou reorientando um sistema. Isto permite a reutilização imediata e ao mesmo tempo reduzindo o tempo de administração e custos.