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  • Número do documento: 123456
  • Code Name: Emerald Rapids
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  1. Intel 18A | Veja nossa maior inovação de processo

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Intel 18A: veja nossa maior inovação de processo

O avanço mais recente na tecnologia de processos Intel Foundry, com RibbonFET e a primeira solução do setor para distribuição de energia traseira PowerVia, que permite aos clientes criar designs inovadores.

O Intel 18A está pronto para projetos dos clientes

Explore nosso resumo da tecnologia e os destaques abaixo para saber mais sobre as inovações revolucionárias, as vantagens do setor e os detalhes do caso de uso da família Intel 18A.

Obtenha o resumo da tecnologia.

Intel 18A

  • Oferece desempenho até 18% maior para a mesma potência, consumo de energia 38% menor para o mesmo desempenho e melhoria de 30% na densidade de chip em comparação com o Intel 3.1
  • Permite uma maior escalabilidade da tensão à frequência, com o chip de silício de produção demonstrando uma frequência da CPU aproximadamente 30% maior em ~0,5 V em comparação com os designs FinFET.2
  • O PowerVia reduz a pior queda de tensão dinâmica em até 10x, enquanto permite até 11% de compactação da área no nível de bloco em designs roteados.3
  • O RibbonFET melhora o controle eletrostático e a escalabilidade da unidade, permitindo maior desempenho por watt, menor Vmin e escalabilidade mais eficiente em todas as condições operacionais.
  • Os capacitores Omni MIM melhoram a integridade da energia e reduzem a queda de tensão para cargas de trabalho de computação modernas.
  • Em produção de alto volume nos Estados Unidos.

Intel 18A-P

  • Baseado no Intel 18A com aprimoramentos direcionados, oferece desempenho mais de 9% superior para a mesma potência ou consumo de energia mais de 18% inferior em com o mesmo desempenho por meio de aprimoramentos coordenados no transistor, na interconexão e na DTCO.4
  • A eficiência aprimorada do transistor e a resistência reduzida oferecem uma frequência front-end aproximadamente 12% maior com a mesma corrente de fuga, permitindo maior desempenho dentro do mesmo limite de potência.4
  • Apresenta novas opções de dispositivos RibbonFET com aprimoramentos de mobilidade, incluindo transistores de contato duplo Power Boost, que oferecem melhoria de frequência superior a 10% em escalonamento correspondente de capacitância neutra.4
  • Melhora a eficiência de escalabilidade com resistividade térmica 20 a 40%4 menor e resistência de via 10 a 30% menor, permitindo desempenho sustentado em designs com alta densidade de energia.4
  • Expande a flexibilidade com opções adicionais de Vt lógico e cantos de desvio 33% mais estreitos, permitindo um ajuste PPA mais preciso.4
  • Reduz a variação com escalabilidade neutra em termos de capacitância, permitindo ganhos de desempenho previsíveis.

 

Intel 18A-PT

  • Primeira matriz base do setor com distribuição de energia na parte traseira, projetada para designs 3DIC avançados e baseada na tecnologia Intel 18A.
  • Recursos de integração 3D, com vias através do silício de passagem (TSVs), TSVs chip a chip e interface avançada de ligação híbrida (HBI) com espaçamento líder do setor para projeto de sistema multichip escalável.
  • Oferece densidade até 25% maior e consumo até 35% menor de energia em comparação com o Intel 3-T.5
  • Alta escalabilidade da largura de banda, com densidade de largura de banda chip a chip de até 9x, compatível com cargas de trabalho de IA e HPC de última geração.5

PowerVia

À medida que a densidade dos transistores aumenta, o sinal misto e o roteamento de energia criam congestionamento que pode degradar o desempenho. A tecnologia PowerVia, primeira do setor da Intel Foundry, realoca metais e contatos de espaçamento amplo para a parte traseira da matriz e incorpora vias através do silício em nanoescala (nano-TSVs) em cada célula padrão para uma distribuição eficiente de energia.

RibbonFET

A RibbonFET é a arquitetura de transistores gate-all-around da Intel Foundry, na qual o canal é totalmente cercado pela porta para permitir um controle eletrostático preciso. Essa estrutura melhora o controle dos efeitos de canal curto e suporta a escalabilidade contínua do transistor além do FinFET, permitindo otimização flexível por meio de fitas com larguras variáveis e várias opções de tensão limite.

Aplicações e casos de uso

HPC e IA

Para aplicações que exigem os mais altos níveis de desempenho com alta eficiência de energia, o controle de canais superior do RibbonFET oferece melhor desempenho do transistor por watt com alta corrente de acionamento e escalabilidade.

Processamento de sinal de imagem, vídeo e visão com IA

O PowerVia pode ter um impacto significativo no projeto de produtos em aplicações industriais, onde sua queda de tensão IR reduzida, melhor encaminhamento de sinal e melhor utilização da célula frontal contribuem para reduções significativas na perda de energia. A redução da área do RibbonFET permite mais funcionalidade em chips menores, o que é benéfico para sensores médicos e industriais compactos.

Processadores para dispositivos móveis e banda base

Para atender às necessidades exclusivas das aplicações móveis, a Intel oferece um nó de processo Intel 18A-P otimizado. Nossas técnicas avançadas de fabricação ajudam a garantir um desempenho consistente e confiável, enquanto as tensões limite ajustadas com precisão oferecem eficiência de energia excepcional. Isso contribui para melhorias gerais na autonomia da bateria para dispositivos móveis.

Aeroespacial, defesa e governo

Novos casos de uso nos setores aeroespacial, de defesa e governamental exigem maior poder de computação, geralmente com requisitos rigorosos de tamanho, peso, energia e custo (SWaP-C). A baixa queda de IR do Intel 18A fornece a eficiência necessária para aplicações com restrições de energia, além de oferecer um desempenho aprimorado.

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Intel 18A em ação

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Fabricação global

O Intel 18A é fornecido por meio de nossa rede de fabricação mundial, confiável, sustentável e segura.

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Informações de produto e desempenho

1

K. Fischer et al., “Intel 18A Platform Technology Featuring RibbonFET (GAA) and PowerVia for Advanced High-Performance Computing”, Simpósio IEEE/JSAP sobre tecnologia e circuitos VLSI, junho de 2025.

2

M. Shamanna et al., “CPU Cores in GAA with Backside Power: Silicon-Validated Design Insights”, Simpósio IEEE/JSAP sobre tecnologia e circuitos VLSI, junho de 2026.

3

E. Karl et al., “Backside Power: Enabling Energy-Efficient Performance on Advanced Node Designs”, Simpósio IEEE/JSAP sobre tecnologia e circuitos VLSI, junho de 2026.

4

A. Bowonder et al., “Intel 18A-P CMOS Technology Enhancement Featuring Advanced RibbonFET (GAA) Transistors and PowerVia for High-Performance Computing”, Simpósio IEEE/JSAP sobre tecnologia e circuitos VLSI, junho de 2026.

5

Com base em uma análise interna da Intel que compara o Intel 18A-PT com o Intel 3-T em abril de 2025. Os resultados podem variar.

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