Intel acelera inovações de processos e embalagens

Baixe todas as imagens (ZIP, 65 MB)

DESTAQUES DE NOTÍCIAS

• Roteiro de inovações de processos e embalagens para impulsionar a próxima onda de produtos até 2025 e além.
• Duas tecnologias de processo inovadoras: a RibbonFET, a primeira nova arquitetura transistora da Intel em mais de uma década, e a PowerVia, uma das primeiras empresas a entregar energia no backside.
• Liderança continuada em inovações avançadas em embalagens 3D com Foveros Omni e Foveros Direct.
• Nomeação de novo nó para criar estrutura consistente, visão mais precisa dos nós de processo para clientes e para o setor à medida que a Intel entra na era do angstrom dos semicondutores.
• Forte impulso para os Serviços de fundação Intel® (IFS) com os primeiros anúncios de clientes.

SANTA CLARA, Calif., 26 de julho de 2021 – a Intel Corporation revelou hoje um dos roteiros mais detalhados de tecnologia de processos e embalagens que a empresa já forneceu, apresentando uma série de inovações fundamentais que impulsionam produtos até 2025 e além. Além de anunciar a RibbonFET, sua primeira nova arquitetura de transistores em mais de uma década, e a PowerVia, um novo método de entrega de energia traseira do setor, a empresa destacou sua adoção planejada e rápida da próxima geração de litografia ultravioleta extrema (EUV), conhecida como EUV de Alta Abertura Numérica (High Numerical Aperture). A Intel está posicionda para receber a primeira ferramenta de produção de EUV de Alta NA do setor.

"Com base na liderança inquestionável da Intel em embalagens avançadas, estamos acelerando nosso roteiro de inovação para garantir que estamos em um caminho claro para processar a liderança de desempenho até 2025", disse o CEO da Intel, Pat Gelsinger, durante o webcast global "Intel Accelerated". "Estamos aproveitando nosso pipeline incomparável de inovação para oferecer avanços tecnológicos do transistor até o nível do sistema. Até que a tabela periódica esteja esgotada, nós vamos ser implacáveis em nossa busca pela Lei de Moore e nosso caminho para inovar com a magia do silício."

Mais: inovações de processo e embalagem (Kit de imprensa) | Webcast "Intel Accelerated" (Event Livestream/Replay) | Acelerando a inovação de processos (ficha técnica) | Acelerando a inovação de processos (citações) | Intel apresenta novas tecnologias RibbonFET e PowerVia (vídeo) | Tecnologia Intel EMIB explicada (vídeo) | Tecnologia Intel Foveros explicada (vídeo)

A indústria reconhece há muito tempo que a nomeação tradicional de nó de processo baseado em nanômetro parou de corresponder à métrica de comprimento do portão real em 1997. Hoje, a Intel introduziu uma nova estrutura de nomeação para seus nós de processo, criando uma estrutura clara e consistente para proporcionar aos clientes uma visão mais precisa dos nós de processo em todo o setor. Essa clareza é mais importante do que nunca com o lançamento dos Serviços de Fundação Intel® "As inovações apresentadas hoje não só permitirão o roteiro de produtos da Intel; eles também serão essenciais para nossos clientes de fundação", diz Gelsinger. "O interesse pela IFS foi forte e estou emocionado por anunciarmos hoje nossos dois primeiros clientes importantes. IFS está fora para as corridas!

Os técnicos da Intel descreveram o roteiro a seguir com os novos nomes de nós e as inovações que permitem cada nó:

• O Intel 7 oferece um aumento de aproximadamente 10% a 15% no desempenho por watt em comparação com o Intel 10 nm SuperFin, baseado em otimizações de transistores FinFET. A Intel 7 será destaque em produtos como Alder Lake para clientes em 2021 e Sapphire Rapids para o data center, que deve estar em produção no primeiro trimestre de 2022.
• A Intel 4 adota totalmente a litografia de EUV para imprimir recursos incrivelmente pequenos usando luz de comprimento de onda ultra-curta. Com um aumento de aproximadamente 20% no desempenho por watt, juntamente com melhorias de área, o Intel 4 estará pronto para a produção no segundo semestre de 2022 para envio de produtos em 2023, incluindo Meteor Lake para clientes e Granite Rapids para o data center.
• O Intel 3 aproveita outras otimizações do FinFET e aumenta o EUV para oferecer um aumento de aproximadamente 18% no desempenho por watt em relação ao Intel 4, juntamente com melhorias adicionais de área. A Intel 3 estará pronta para começar a fabricar produtos no segundo semestre de 2023.
• A Intel 20A inaugura a era dos angstroms com duas tecnologias revolucionárias, RibbonFET e PowerVia. RibbonFET, a implementação da Intel de um transistor completo, será a primeira nova arquitetura transistora da empresa desde que foi pioneira no FinFET em 2011. A tecnologia oferece velocidades de comutação de transistores mais rápidas, ao mesmo tempo em que alcança a mesma corrente de unidade que várias barbatanas em uma pegada menor. A PowerVia é a implementação exclusiva da Intel no setor de entrega de energia traseira, otimizando a transmissão de sinal, eliminando a necessidade de roteamento de energia no lado frontal do wafer. Espera-se que o Intel 20A melhore em 2024. A empresa também está animada com a oportunidade de fazer parceria com a Qualcomm usando sua tecnologia de processo Intel 20A.
• 2025 e além: Além da Intel 20A, o Intel 18A já está em desenvolvimento para o início de 2025 com refinamentos para o RibbonFET que proporcionarão outro grande salto no desempenho dos transistores. A Intel também está trabalhando para definir, construir e implantar a próxima geração do HIGH NA EUV e espera receber a primeira ferramenta de produção do setor. A Intel está em parceria com a ASML para garantir o sucesso deste avanço do setor além da geração atual de EUV.

Baixe todas as imagens (ZIP, 2 MB)

"A Intel tem uma longa história de inovações de processos fundamentais que impulsionaram o setor a avançar com saltos e limites", diz a Dra. Ann Kelleher, vice-presidente sênior e gerente geral de desenvolvimento de tecnologia. "Lideramos a transição para o silício tenso em 90 nm, para portões metálicos de alto k a 45 nm e para FinFET em 22 nm. O Intel 20A será outro momento divisor de águas na tecnologia de processo com duas inovações revolucionárias: RibbonFET e PowerVia."

Com a nova estratégia de IDM 2.0 da Intel, a embalagem está se tornando ainda mais importante para obter os benefícios da Lei de Moore. A Intel anunciou que a AWS será o primeiro cliente a usar soluções de embalagem IFS, ao mesmo tempo em que fornece as seguintes percepções sobre o roadmap avançado de embalagem líder do setor da empresa:

• A EMIB continua liderando o setor como a primeira solução de ponte embarcada 2,5D, com produtos embarcados desde 2017. Sapphire Rapids será o primeiro produto Intel® Xeon® data center a ser enviado em volume com EMIB (ponte de interconexão multi-die embarcada). Ele também será o primeiro dispositivo de tamanho retículo duplo no setor, oferecendo quase o mesmo desempenho que um design monolítico. Além Sapphire Rapids, a próxima geração de EMIB se moverá de uma altura de 55 mícrons para 45 mícrons.
• Foveros aproveita os recursos de embalagem em nível de wafer para fornecer uma solução de empilhamento 3D de primeira geração. Meteor Lake será a implementação de Foveros de segunda geração em um produto cliente e apresenta um lançamento de 36 mícrons, telhas abrangendo múltiplos nós tecnológicos e uma faixa de potência de design térmico de 5 a 125W.
• Foveros Omni inaugura a próxima geração de tecnologias Foveros fornecendo flexibilidade incomparável com tecnologia de empilhamento 3D de desempenho para interconexão de morrer e designs modulares. Foveros Omni permite a desagregação de die, misturando vários blocos de die top com vários blocos básicos em nós mistas e deve estar pronto para fabricação de volumes em 2023.
• Foveros Direct se move para direcionar a ligação de cobre para cobre para interconexões de baixa resistência e desfoque o limite entre onde o wafer termina e onde o pacote começa. Foveros Direct permite pitches de colisão sub-10 mícrons, proporcionando uma ordem de aumento de magnitude na densidade de interconexão para empilhamento 3D, abrindo novos conceitos para particionamento funcional de morrer que antes eram inatingíveis. Foveros Direct é complementar à Foveros Omni e também deve estar pronta em 2023.

Os avanços discutidos hoje foram desenvolvidos principalmente nas instalações da Intel em Oregon e Arizona, consolidando o papel da empresa como o único jogador de ponta com pesquisa e desenvolvimento e fabricação nos EUA, além disso, as inovações se baseiam na estreita colaboração com um ecossistema de parceiros nos EUA e na Europa. Parcerias profundas são fundamentais para levar inovações fundamentais do laboratório para a fabricação de alto volume, e a Intel está comprometida em fazer parcerias com os governos para fortalecer as cadeias de fornecimento e impulsionar a segurança econômica e nacional.

A empresa encerrou seu webcast confirmando mais detalhes sobre seu evento Intel InnovatiON. A Intel InnovatiON será realizada em São Francisco e online de 27 a 28 de outubro de 2021. Mais informações estão disponíveis no site Intel ON.

Para obter mais informações sobre o roteiro de processo da Intel e a nomeação de nós, acesse a ficha técnica do processo. Para assistir a um replay do webcast de hoje, acesse a Sala de imprensa da Intel ou o site de relações com investidores daIntel.

Declarações de futuro

Este comunicado de imprensa contém declarações de futuro relacionadas aos planos e expectativas futuros da Intel, incluindo no que diz respeito aos roteiros e cronogramas da tecnologia de processamento e embalagem da Intel; cadência da inovação; tecnologia e produtos futuros e os benefícios esperados e disponibilidade de tais tecnologias e produtos, incluindo PowerVia, RibbonFET, Foveros Omni e Foveros tecnologias diretas, nós de processo futuro e outras tecnologias e produtos; paridade de tecnologia e liderança; uso futuro, benefícios e disponibilidade de EUV e outras ferramentas de fabricação; expectativas em relação a fornecedores, parceiros e clientes; Estratégia da Intel; planos de fabricação; expansão de fabricação e planos de investimento; e planos e metas relacionados aos negócios de fundação da Intel. Tais declarações envolvem uma série de riscos e incertezas. Palavras como "antecipa", "espera", "pretende", "metas", "planeja", "acredita", "busca", "estima", "continua", "pode", "pode", "fará", "deveria", "deveria", "poderia", "estratégia", "estratégia", "continua", "pode", "pode", "fará", "deveria", "deveria", "poderia", "estratégia", "estratégia", "continuar", "pode", "will", "will", "should", "could", "strategy", "continue", "may", "will", "should", "could", "strategy", "strategy", "continue", "may", "will", "should", "could", "strategy", "continuar", "may", "will", "should", "could", "strategy"progresso," "acelerar", "caminho", "na pista", "roteiro", "pipeline", "cadência", "momentum", "posicionado", "comprometido" e "entregar" e variações dessas palavras e expressões semelhantes são destinados a identificar declarações de futuro. Declarações que se referem ou se baseiam em estimativas, previsões, projeções e eventos ou suposições incertos também identificam declarações futuras. Essas declarações se baseiam nas expectativas atuais da administração e envolvem muitos riscos e incertezas que podem fazer com que os resultados reais diferem materialmente daqueles expressos ou implícitos nessas declarações futuras. Fatores importantes que podem fazer com que os resultados reais diferem materialmente das expectativas da empresa incluem, entre outros, a falha da Intel em realizar os benefícios previstos de sua estratégia e planos; mudanças nos planos devido a negócios, econômicos ou outros fatores; ações tomadas pelos concorrentes, incluindo alterações nos roteiros de tecnologia dos concorrentes; mudanças que afetam nossas projeções em relação à nossa tecnologia ou tecnologia concorrente; atrasos no desenvolvimento ou implementação de nossas futuras tecnologias de fabricação ou falhas para realizar os benefícios antecipados de tais tecnologias, incluindo melhorias esperadas no desempenho e outros fatores; atrasos ou alterações no projeto ou introdução de produtos futuros; mudanças nas necessidades ou planos dos clientes; mudanças nas tendências tecnológicas; nossa capacidade de responder rapidamente aos desenvolvimentos tecnológicos; atrasos, alterações nos planos ou outras interrupções envolvendo ferramenta de fabricação e outros fornecedores; e outros fatores estabelecidos nos relatórios da Intel arquivados ou fornecidos à Comissão de Valores Mobiliários (SEC), incluindo os relatórios mais recentes da Intel sobre o Formulário 10-K e o Formulário 10-Q, disponíveis no site de relações com investidores da Intel em www.intc.com e no site da SEC em www.sec.gov. A Intel não se compromete, e se isenta expressamente de qualquer obrigação, de atualizar qualquer declaração feita neste comunicado de imprensa, seja como resultado de novas informações, novos desenvolvimentos ou de outra forma, exceto na medida em que a divulgação pode ser exigida por lei.

Todos os planos de produtos e serviços, roteiros e números de desempenho estão sujeitos a alterações sem aviso prévio. A paridade de desempenho do processo e as expectativas de liderança se baseiam em projeções de desempenho por watt. O desempenho do nó futuro e outras métricas, incluindo potência e densidade, são projeções e são inerentemente incertos.