SANTA CLARA, Califórnia, e MIGDAL HAEMEK, Israel, 5 de setembro de 2023 - A Intel Foundry Services (IFS) e a Tower Semiconductor (Nasdaq: TSEM), uma principal fundição de soluções de semicondutores analógicos, anunciaram hoje um acordo em que a Intel fornecerá serviços de fundição e capacidade de fabricação de 300mm para ajudar a Tower a atender seus clientes globalmente. Conforme o acordo, a Tower utilizará a avançada instalação de fabricação da Intel no Novo México. A Tower investirá até $300 milhões para adquirir e possuir equipamentos e outros ativos fixos a serem instalados na instalação do Novo México, fornecendo um novo corredor de capacidade com mais de 600.000 camadas fotográficas por mês para o crescimento futuro da Tower, possibilitando a capacidade de atender à demanda prevista dos clientes para processamento analógico avançado de 300mm.
Este acordo demonstra o compromisso tanto da Intel quanto da Tower em expandir suas respectivas presenças em fundições com soluções incomparáveis e capacidades escaladas. A Intel fabricará os fluxos de gerenciamento de energia BCD (bipolar-CMOS-DMOS) altamente diferenciados da Tower, entre outros fluxos, nas instalações da Intel, chamadas de Fab 11X, em Rio Rancho, Novo México.
Stuart Pann, vice-presidente sênior da Intel e diretor-geral dos Serviços de Fundição da Intel, disse: "Lançamos os Serviços de Fundição da Intel com uma visão de longo prazo para oferecer a primeira fundição de sistema aberto do mundo, que reúne uma cadeia de suprimentos segura, sustentável e resiliente com o que há de melhor na Intel e em nosso ecossistema". Estamos entusiasmados que a Tower reconhece o valor exclusivo que oferecemos e nos escolheu para abrir o corredor de capacidade de 300mm nos Estados Unidos.
O CEO da Tower, Russell Ellwanger, disse: "Estamos empolgados em continuar trabalhando com a Intel. À medida que olhamos para o futuro, nosso foco principal é expandir nossas parcerias com clientes por meio da fabricação em grande escala de soluções tecnológicas de ponta. Essa colaboração com a Intel nos permite atender aos cronogramas de demanda de nossos clientes, com um foco especial em soluções avançadas de gerenciamento de energia e silício em isolador de radiofrequência (RF SOI), com qualificação completa do fluxo de processo planejada para 2024. Vemos isso como um primeiro passo em direção a várias soluções sinérgicas únicas com a Intel."
Este acordo demonstra como a IFS possibilita o acesso a corredores de capacidade de fabricação em toda a rede global de fábricas da Intel, incluindo nos Estados Unidos, Europa, Israel e Ásia. Além dos investimentos existentes em Oregon e dos investimentos planejados em Ohio, a Intel tem investido e inovado na região Sudoeste dos Estados Unidos por mais de 40 anos, com instalações no Arizona e no Novo México. Anteriormente, a Intel anunciou um investimento de $3,5 bilhões para expandir as operações no Novo México e equipar seu campus em Rio Rancho, um de seus centros de inovação, para a fabricação de embalagens de semicondutores avançados.
Para a Tower, este é o próximo passo em seu caminho rumo a uma maior escala, atendendo a uma base de clientes em expansão em tecnologias de 300mm, lideradas pela forte adoção de mercado de suas tecnologias líderes na indústria de 65nm BCD de potência e RF SOI. Especificamente, a tecnologia BCD de 65nm da Tower oferece aos clientes uma eficiência energética melhorada, tamanho e custo do dado reduzidos através da sua melhor figura de mérito Rdson na classe. Da mesma forma, a tecnologia RF SOI de 65nm da Tower ajuda seus clientes a reduzir o consumo de bateria dos dispositivos móveis, ao mesmo tempo, em que melhora as conexões sem fio através de sua melhor figura de mérito RonCoff na classe. A maior escala resultante deste acordo permitirá à Tower não apenas atender a oportunidades maiores com as tecnologias existentes, mas também aprimorar parcerias com clientes líderes da indústria que ajudarão a criar sólidos roteiros tecnológicos de próxima geração.
IFS é um pilar crítico da estratégia IDM 2.0 da Intel, e o anúncio de hoje representa mais um passo em frente na transformação plurianual da Intel para recuperar e fortalecer a liderança tecnológica, a escala de fabricação e o crescimento a longo prazo. A IFS deu passos significativos ao longo do último ano, como demonstrado pelo aumento de receita de mais de 300% em relação ao ano anterior no segundo trimestre de 2023. Esse impulso é mais uma vez ilustrado pelo recente acordo da Intel com a Synopsys para desenvolver um portfólio de propriedades intelectuais nos nodes de processo, Intel 3 e Intel 18A. A Intel também recebeu o programa Rapid Assured Microelectronics (RAMP-C) do Departamento de Defesa dos EUA, com cinco clientes RAMP-C em envolvimento de projeto no Intel 18A.
Declarações Previas
Este comunicado contém declarações prospectivas que envolvem uma série de riscos e incertezas. Tais declarações incluem aquelas relacionadas aos planos de negócios e estratégia da Intel e os benefícios antecipados, incluindo com relação às suas ambições de fundição externa, modelo de fundição interna, estratégia IDM 2.0, planos de expansão de capacidade de fabricação, expansão do portfólio de propriedade intelectual e acordos com a Tower e outros clientes. Tais declarações envolvem muitos riscos e incertezas que podem fazer com que os resultados reais da Intel diferam materialmente daqueles expressos ou implícitos, incluindo: mudanças na demanda pelos produtos da Intel; a incapacidade da Intel de realizar os benefícios antecipados de sua estratégia, planos e transações propostas; o alto nível de concorrência e a rápida mudança tecnológica na indústria de semicondutores; os significativos investimentos iniciais em P&D e nos negócios, produtos, tecnologias e capacidades de fabricação da Intel; a complexidade e natureza de custos fixos das operações de fabricação de semicondutores; atrasos na construção ou alterações nos planos devido a fatores comerciais, econômicos ou outros; aumento nos requisitos de capital e mudanças nos planos de investimento de capital; alterações adversas nos incentivos governamentais previstos e aprovação associada relacionada aos investimentos planejados da Intel; vulnerabilidade ao desenvolvimento de novos produtos e riscos relacionados à fabricação, incluindo defeitos ou erratas de produtos, especialmente à medida que a Intel desenvolve produtos de próxima geração e implementa tecnologias de processo de próxima geração; riscos associados a uma cadeia de suprimentos global altamente complexa, incluindo interrupções, atrasos, tensões comerciais ou escassez; riscos relacionados às vendas, incluindo concentração de clientes e o uso de distribuidores e outros terceiros; vulnerabilidades potenciais de segurança nos produtos da Intel; riscos de cibersegurança e privacidade; risco de investimento e transação; riscos de propriedade intelectual e riscos associados a litígios e processos regulatórios; requisitos regulatórios e legais em constante evolução em várias jurisdições; condições geopolíticas e de comércio internacional; obrigações de dívida da Intel; riscos de operações globais em grande escala; condições macroeconômicas; impactos da COVID-19 ou de uma pandemia similar; e outros riscos e incertezas descritos no comunicado de resultados da Intel datado de 27 de julho de 2023, no Relatório Anual de 2022 no Formulário 10-K e em outras apresentações à Comissão de Valores Mobiliários dos Estados Unidos (SEC). Todas as informações neste comunicado à imprensa refletem as opiniões da administração da Intel até a data deste documento, a menos que uma data anterior seja especificada. A Intel não se compromete e expressamente se isenta de qualquer obrigação de atualizar tais declarações, seja como resultado de novas informações, desenvolvimentos ou de outra forma, exceto enquanto a divulgação possa ser exigida por lei.
Sobre o Tower Semiconductor
A Tower Semiconductor Ltd. (Nasdaq: TSEM, TASE: TSEM), a principal fundição de soluções analógicas de alto valor em semicondutores, oferece plataformas de tecnologia e fabricação para circuitos integrados (CIs) em mercados em crescimento, como consumo, industrial, automotivo, móvel, infraestrutura, médico, aeroespacial e defesa. A Tower Semiconductor concentra-se em criar um impacto positivo e sustentável no mundo por meio de parcerias de longo prazo e de sua oferta de tecnologia analógica avançada e inovadora, composta por uma ampla variedade de plataformas de processo personalizáveis, como SiGe, BiCMOS, mistas/sinal CMOS, RF CMOS, sensor de imagem CMOS, sensores não-imagem, gerenciamento integrado de energia (BCD e 700V) e MEMS. A Tower Semiconductor também oferece suporte de design de classe mundial para um ciclo de design rápido e preciso, bem como serviços de transferência de processo, incluindo desenvolvimento, transferência e otimização, para IDMs (Integrated Device Manufacturers) e empresas sem fábrica (fabless). Para fornecer múltiplas fontes de fabricação e capacidade estendida para seus clientes, a Tower Semiconductor possui duas instalações de fabricação em Israel (150mm e 200mm), duas nos Estados Unidos (200mm), duas no Japão (200mm e 300mm) que ela possui por meio de sua participação de 51% na TPSCo, e está compartilhando uma instalação de fabricação de 300mm que está sendo estabelecida na Itália pela STMicroelectronics. Para obter mais informações, acesse www.towersemi.com.
Porto seguro sobre declarações prospectivas
Este comunicado de imprensa inclui declarações prospectivas, que estão sujeitas a riscos e incertezas. Os resultados reais podem variar em relação ao que é projetado ou implícito por tais declarações prospectivas. Uma discussão completa dos riscos e incertezas que podem afetar a precisão das declarações prospectivas incluídas neste comunicado à imprensa ou que possam afetar de outra forma o negócio da Tower está incluída sob o título "Fatores de Risco" nas mais recentes apresentações da Tower nos Formulários 20-F e 6-K, arquivados junto à Comissão de Valores Mobiliários (SEC) dos Estados Unidos e à Autoridade de Valores Mobiliários de Israel. A Tower não tem a intenção de atualizar e expressamente se isenta de qualquer obrigação de atualizar as informações contidas neste comunicado.