Inspirada na nuvem. Desempenho otimizado.

Conclusões

  • Próxima geração da tecnologia TLC Intel® 3D NAND de 144 camadas

  • Acelere uma ampla variedade de cargas de trabalho de data center de nuvem com menor latência

  • Aprimore a segurança e a gerenciabilidade corporativas

  • Capacidade de resposta sob E/S mistas

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

Atender aos atuais requisitos de desempenho, gerenciabilidade e E/S do data center em uma ampla variedade de cargas de trabalho.

Arquitetada com 144 camadas, TLC, tecnologia Intel® 3D NAND, a Intel® SSD série D7-P5510 oferece desempenho otimizado e capacidade para matrizes totalmente flash e foi projetada para aumentar a eficiência de TI e a segurança dos dados. A Intel® SSD série D7-P5510 inclui um controlador Intel PCIe 4.0 e firmware que traz baixa latência, capacidades de gerenciamento aprimoradas, escalabilidade e novos recursos críticos NVMe para ambientes corporativos e de nuvem.

Disponíveis no fator de forma U.2 de 15 mm, essas SSDs são oferecidas com 3,84 TB e 7,68 TB com resistência de gravação de até 1 gravação de unidade por dia (DWPD).

Aumente o desempenho com latência mais baixa

A Intel® SSD série D7-P5510 proporciona desempenho previsivelmente rápido e alto e pode acelerar consideravelmente as matrizes totalmente flash. A série D7-P5510 com desempenho otimizado proporciona desempenho de leitura sequencial até 2x superior,1 latências 50% menores2 e um aumento de 50% em IOPs de carga de trabalho mista (70% de leitura, 30% de gravação)3 em comparação com a geração anterior de SSDs Intel®.

Uma nova arquitetura TRIM melhora ainda mais o desempenho da carga de trabalho no dia a dia, onde são usados comandos de gerenciamento de conjuntos de dados. A arquitetura TRIM otimizada funciona agora como um processo em segundo plano sem interferência em cargas de trabalho, melhorando o desempenho e a QoS durante TRIMs simultâneos. O processo TRIM é aprimorado com a redução da amplificação da gravação, que ajuda as unidades a atingir sua meta de resistência.

Aprimoramentos de firmware para desempenho da unidade, eficiência de TI, segurança de dados e capacidade de gerenciamento

A Intel® SSD série D7-P5510 inclui vários aprimoramentos de firmware especificamente projetados para aumentar a eficiência de TI e a segurança de dados em um mundo cada vez mais centrado na informação.

Vários namespaces dinâmicos aprimoram o provisionamento do tempo de execução e o gerenciamento de armazenamento. Unidade de over-provisioning (excesso de provisionamento) com namespace menor único para melhorar a resistência e o desempenho de gravação aleatória4.

  • A compatibilidade expandida com o formato de endereçamento de bloco lógico (LBA) oferece flexibilidade para o software hospedeiro passar metadados e informações de proteção junto com dados de carga útil. A Intel® SSD série D7-P5510 é compatível com VSS com os seguintes tamanhos de setor: 512/520/4096/4104/4160B.
  • A Scatter Gather List (SGL) melhora o desempenho ao remover a necessidade de alinhamento de dados no host.
  • Monitoramento SMART aprimorado, que relata o status da integridade da unidade sem interromper o fluxo de dados de E/S usando um mecanismo dentro da banda (in-band) e acesso fora da banda (out-of-band).
  • O autoteste do dispositivo melhora a experiência do cliente, assegurando que os dispositivos estejam operando conforme o esperado. O sistema host pode solicitar ao dispositivo de armazenamento (SSD) a realização de testes para garantir seu funcionamento adequado, incluindo verificação SMART, backup de memória volátil, integridade de NVM e vida útil da unidade.
  • A telemetria torna acessível uma ampla gama de dados armazenados e inclui rastreamento e registro inteligente de erros. Isso aumenta a confiabilidade da detecção e mitigação de problemas e suporta ciclos de qualificação acelerada, resultando em maior eficiência de TI.
  • Também são compatíveis alguns recursos adicionais de segurança, como TCG Opal 2.0, travamento configurável do namespace, higienização e formato NVM.
  • Um esquema de proteção contra Perda de Energia Iminente (Power-Loss Imminent - PLI) com autodiagnóstico integrado, protege contra a perda de dados se a energia do sistema for repentinamente perdida. Em associação com o esquema líder do setor em proteção de caminho de dados de ponta a ponta,5 os recursos do PLI também facilitam a implantação em data centers resilientes, onde dados corrompidos devido a falhas no nível de sistema não são tolerados.

Líder do setor de tecnologia NAND

A tecnologia 3D NAND de 144 camadas da Intel oferece densidade de área6 e retenção de dados líderes do setor,7 permitindo que os clientes corporativos escalonem matrizes de armazenamento com confiança para atender às suas crescentes necessidades. A adoção rápida de infraestruturas hiperconvergidas definidas por software aumenta a exigência para maximizar a eficiência, revitalizar o hardware existente e aumentar a agilidade do servidor — tudo isso mantendo a confiabilidade operacional.

Os principais fabricantes de servidores empresariais responderam adotando abertamente as SSDs com PCIe/NVMe de desempenho escalável, baixa latência e inovação contínua. Atender à demanda de cargas de trabalho de E/S cada vez mais intensivas, incluindo analíticas e de IA, tornou-se um elemento essencial para a estratégia de qualquer empresa.

Resumo dos recursos

Modelo Intel® SSD série D7-P5510
Capacidade e fator de forma U.2 de 15 mm: 3,84 TB, 7,68 TB
Interface 4x PCIe 4.0, NVMe 1.3c
Mídia Tecnologia Intel® 3D NAND, 144 camadas, TLC
Desempenho 128K de R/W sequencial até 7.000/4.194 MB/s
4KB de R/W aleatório até 930K/190K em operações de entrada e saída por segundo (IOPS)
Resistência 1 DWPD (até 14 PBW)
Confiabilidade

UBER: 1 setor por 1017 bits lidos

MTBF (período médio entre falhas): 2 milhões de horas

Potência

Média máxima de gravação ativa: 18 W

Inativo: 5 W

Garantia Garantia limitada de 5 anos

Infraestrutura de armazenamento para IA

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Avisos e isenções de responsabilidade8

Config para notas de rodapé 1-3: est e configuração do sistema: placa principal: Intel® Server Board S2600WFT, versão: R2208WFTZS, BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, arquitetura da plataforma: x86_64, CPU: CPU Intel® Xeon® Gold 6140 @ 2.30 GHz, soquetes da CPU: 2, capacidade de RAM: 32 G, modelo de RAM: DDR4, versão do SO: centos-release-7-5, ID da compilação: 1804, kernel: 4.14.74, driver NVMe: Inbox, versão Fio: 3.5, PCIe 4.0 switch de Microsemi foi utilizada. P5510, P5316 foram testados em firmware JCV10100 e ACV10005, respectivamente.

Informações de produto e desempenho

1

Desempenho de leitura sequencial até 2,00x melhor - a afirmação é baseada na leitura sequencial do SSD Intel® D7-P5510 128 KB (7,0 GB/s) comparado com a do SSD Intel® DC P4510 128 KB (3,20 GB/s). Data do teste: outubro de 2020.

2

Latência até 50% melhor – a afirmação é baseada em carga de trabalho aleatória 75/25 de 4 KB a 6 (9s). A SSD Intel® D7-5510 (1100us) tem latência 50% superior à da SSD Intel® DC P4510 (2539us). Data do teste: outubro de 2020.

3

Até 50% melhor IPOS de carga de trabalho mista: a afirmação é baseada no Intel® SSD D7-P5510, 7,684 TB 4 KB misto 70/30 (400 K) em comparação com o Intel® SSD DC P4510, 8 TB (266 K). Data do teste: outubro de 2020.

4

 Unidades de over-provisioning com benefício de namespace menor único podem ser encontradas neste artigo:https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/white-papers/over-provisioning-nand-based-ssds-better-endurance-whitepaper.pdf.

5

Origem — Los Alamos. Unidades testadas na origem: Los Alamos Neutron Science Center, https://lansce.lanl.gov/facilities/wnr/index.php. Fator de aceleração de nêutrons de 10^6. Teste realizado em SSDs de porta única, unidades SSD Intel® DC S3520, SSD Intel® DC P3520, SSD Intel® DC P3510, SSD Intel® DC P4500, SSD Intel® DC S4500, SSD Intel® DC P4800X, SSD Intel® D7-P55XX, SSD Intel® D7-P56XX, Samsung PM953, Samsung PM1725, Samsung PM961, Samsung PM863, Samsung PM963, Samsung 860DCT, Samsung PM883, Samsung PM983, Micron 7100, Micron 510DC, Micron 9100, Micron 5100, Micron 5200, HGST SN100, Seagate 1200.2, SanDisk CS ECO, Toshiba XGS, Toshiba Z6000. Corrupção silenciosa de dados zero medida em unidades Intel de porta única representando tempo de medição cumulativo superior a 5 milhões de horas. A radiação de nêutrons é usada para determinar as taxas de corrupção silenciosa de dados e também como uma medida de eficiência geral da proteção de dados completa. Entre as causas da corrupção de dados em um controlador SSD estão a radiação ionizante e a instabilidade da SRAM. Os erros foram medidos durante a execução e depois da reinicialização após o período de inatividade de uma unidade, comparando os dados esperados com os dados reais recebidos pela unidade. A taxa anual de corrupção de dados foi projetada com base na taxa durante testes acelerados dividida pela aceleração do feixe (consulte o padrão JEDEC JESD89B/C).

6

Fonte: ISSCC 2015, J. Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H. Maejima; ISSCC 2019 C. Siau.

7

As medições foram realizadas em componentes de SSDs usando porta flutuante e tecnologia charge trap flash. A plataforma de medição usada foi o sistema de teste de memória Teradyne Magnum 2 e a programação, utilizando padrões e margens aleatórios, foi quantificada usando comandos do cliente. Dados medidos em 08/2019.

8

O desempenho varia de acordo com o uso, a configuração e outros fatores. Saiba mais em www.Intel.com.br/PerformanceIndex.

Os resultados de desempenho são baseados em testes realizados nas datas especificadas nas configurações e podem não incluir todas as atualizações disponíveis publicamente. Consulte o fabricante para obter os detalhes de configuração. Nenhum produto ou componente pode ser totalmente seguro.

Os seus custos e resultados podem variar.

A Intel não controla ou audita dados de terceiros. Você deve consultar outras fontes para avaliar a precisão.

As tecnologias Intel podem exigir ativação de hardware, de software ou de serviços.