Empresa inspirada. Desempenho otimizado.

Projetada para atender aos requisitos cada vez mais intensivos de E/S de hoje, em uma ampla gama de cargas de trabalho, ao mesmo tempo em que melhora a eficiência de TI.

Arquitetadas com TLC de 96 camadas, tecnologia Intel® 3D NAND, as unidades de estado sólido Intel® série D7-P5500 e as unidades de estado sólido Intel® série D7-P5600 oferecem desempenho otimizado e capacidade para matrizes de todos TLCs, e foram projetadas para aumentar a eficiência de TI e a segurança dos dados. As unidades de estado sólido Intel® série D7-P5500 e série D7-P5600 incluem todos os novos controlador e firmware Intel PCIe* de 4ª Geração que oferecem baixa latência, capacidade de gerenciamento aprimorada, escalabilidade e novos recursos de NVMe* essenciais para ambientes corporativos e em nuvem.

Disponíveis no fator de forma U.2 15 mm, essas SSDs oferecem 1,92 TB, 3,84 TB e 7,68 TB a 1 gravação de unidade por dia (DWPD), e 1,6 TB, 3,2 TB e 6,4 TB a 3 DWPD.

Desbloqueie o valor de seus dados armazenados

As unidades de estado sólido Intel® série D7-P5500 e série D7-P5600 oferecem um desempenho previsivelmente rápido e alto e pode acelerar bastante todas as matrizes de armazenamento de TLC. Em comparação às unidades de estado sólido Intel® da geração anterior, a D7-P5500 com capacidade otimizada oferece até o dobro de desempenho sequencial1 e a D7-P5600 com desempenho otimizado aumenta o desempenho aleatório de carga mista em até 44%.2 As unidades também oferecem melhorias nas latências de cauda, incluindo Qualidade de Serviço (QoS) de Leitura Aleatória de 4 KB até 80% mais baixa para 99,9999999% (7 9s) das transações.3

Melhorias de firmware, como priorizar cargas de trabalho do host e habilitar atualizações sem reiniciar, aumentando ainda mais o desempenho da aplicação.

Recursos avançados para desempenho da unidade, eficiência de TI e segurança dos dados

As unidades de estado sólido Intel® série D7-P5500 e série D7-P5600 incluem diversas melhorias de firmware, projetadas especificamente para aumentar a eficiência de TI e a segurança dos dados em um mundo cada vez mais centrado em dados.

  • O gerenciamento dinâmico da área de nomes oferece flexibilidade para permitir mais usuários e ampliar a implantação.
  • Recursos de segurança adicionais, como o TCG Opal 2.0 e um mecanismo incorporado de criptografia do AES-XTS de 256 bits, exigidos por algumas plataformas seguras.
  • Monitoramento SMART aprimorado, que relata o status da integridade da unidade sem interromper o fluxo de dados de E/S usando um mecanismo dentro da banda (in-band) e acesso fora da banda (out-of-band).
  • A telemetria 2.0 torna acessível uma ampla gama de dados armazenados e inclui rastreamento e registro inteligente de erros. Isso aumenta a confiabilidade de encontrar e mitigar problemas e suporta ciclos de qualificação acelerada — tudo o que pode resultar em maior eficiência de TI.
  • A arquitetura TRIM otimizada funciona agora como um processo em segundo plano sem interferência em cargas de trabalho, melhorando o desempenho e a QoS durante TRIMs simultâneos. O processo TRIM é melhorado para unidades de densidade alta, com amplificação de escrita reduzida, o que ajuda a unidade a atingir a meta de resistência.
  • Um esquema de proteção contra Perda de Energia Iminente (Power-Loss Imminent - PLI) com autodiagnóstico integrado, protege contra a perda de dados se a energia do sistema for repentinamente perdida. Em conjunto com o esquema de proteção de caminho de dados de ponta a ponta, os recursos do PLI também facilitam a implantação em data centers resilientes, onde dados corrompidos devido a falhas a nível de sistema não são tolerados.

Ampliando a liderança em tecnologia NAND

A tecnologia 3D NAND de 96 camadas da Intel oferece densidade de área e conservação de dados líderes do setor,4 permitindo que os clientes corporativos escalem matrizes de armazenamento com confiança para atender às suas crescentes necessidades. A adoção rápida de infraestruturas definidas por software e hiperconvergentes aumenta a exigência para maximizar a eficiência, revitalizar o hardware existente e aumentar a agilidade do servidor — tudo isso enquanto mantém a confiabilidade operacional.

Atender à demanda de cargas de trabalho de E/S de cada vez mais intensivas, incluindo analíticas e de IA, tornou-se um elemento essencial para qualquer estratégia empresarial. Os principais fabricantes de servidores corporativos responderam adotando SSDs baseadas em PCIe/NVMe*, com desempenho escalável, baixa latência e inovação contínua.

Resumo dos recursos

Modelo Unidade de estado sólido Intel® série D7-P5500 Unidade de estado sólido Intel® série D7-P5600
Capacidade e fator de forma U.2 15 mm: 1,92 TB, 3,84 TB, 7,68 TB U.2 15 mm: 1,6 TB, 3,2 TB, 6,4 TB
Interface PCIe* 4,0 x4, NVMe* 1,3c PCIe* 4,0 x4, NVMe* 1,3c
Mídia Tecnologia Intel® 3D NAND, 96 camadas, TLC Tecnologia Intel® 3D NAND, 96 camadas, TLC
Desempenho 128K de R/W sequencial até 7.000/4.300 MB/s 128K de R/W sequencial até 7.000/4.300 MB/s
  4K de R/W aleatório até 1 M/130K em operações de entrada e saída por segundo (IOPS) 4K de R/W aleatório até 1 M/260K em operações de entrada e saída por segundo (IOPS)
Resistência 1 DWPD (até 14 PBW) 3 DWPD (até 35 PBW)
Confiabilidade

UBER: 1 setor por 1017 bits lidos

MTBF (período médio entre falhas): 2 milhões de horas

UBER: 1 setor por 1017 bits lidos

MTBF (período médio entre falhas): 2 milhões de horas

Potência

Média máxima de gravação ativa: 20 W

Inativo: 5 W

Média máxima de gravação ativa: 20 W

Inativo: 5 W

Garantia Garantia limitada de 5 anos Garantia limitada de 5 anos
  Exibir as especificações do produto ›
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Infraestrutura de armazenamento para IA

A aceleração das cargas de trabalho de armazenamento em IA altamente variáveis, melhorando a eficiência de armazenamento é crucial para obter o valor total da IA. Saiba como começar a construir um canal de armazenamento de dados de IA rápido, eficiente e escalável.

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Unidade de estado sólido Intel®


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Informações de produto e desempenho

1

Comparando o desempenho das SSD Intel® série D7-P5600 e SSD Intel® DC série P4610. Consulte o resumo do produto SSD Intel® DC série P4610:https://www.intel.com.br/content/www/br/pt/products/docs/memory-storage/solid-state-drives/data-center-ssds/dc-p4610-p4618-series-brief.html​​​.

2

Fonte – Intel. Comparando o desempenho medido para o desempenho de 4 KB (4096 bytes) 70/30 de leitura / gravação aleatória QD256 (32x8w) entre o Intel® SSD D7-P5600 Series 6.4 TB e o Intel® SSD DC P4610 Series 6.4 4KB Configuração do teste e do sistema: processador Intel® Xeon® Gold 6139 a 2,30 GHz, BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, RAM: 96 GB, modelo da RAM: DDR4 2666 MHz, chipset: Intel® C624, hyper-threading: desabilitado, governador de CPU (através do SO): modo de desempenho, SO: CentOS* 7.2, kernel: 4.8.6. O desempenho medido foi de 520K IOPS e 360K IOPS para o D7-P5600 e DC P4610, respectivamente. As medições são executadas em uma extensão completa do endereçamento de bloco lógico (LBA — Logical Block Address) da unidade assim que a carga de trabalho atinge o estado estacionário, mas incluindo todas as atividades de segundo plano necessárias para a operação normal e a confiabilidade dos dados. Modo de potência configurado em PM0.

3

Latências de cauda referem-se a tempos de resposta no pior cenário; latências mais baixas a 99,99% (quatro noves) significam que a transação mais lenta de cada 10.000 transações melhorará. Fonte – Intel. Comparando o desempenho medido para as latências de 100% de leitura aleatória 100% aleatória de 4KB a 99,99999% (sete noves) de disponibilidade entre o SSD Intel® série D7-P5600, 6,4 TB e o SSD Intel® DC série P4610, 6,4 TB. D7-P5600 e DC P4610 foram medidas no firmware de produção mais recente de cada unidade, “10019” e “1047E”, respectivamente. A latência medida foi de 0,48 ms e 2,57 ms para a D7-P5600 e a DC P4610, respetivamente. O desempenho para ambas as unidades foram medidas utilizando o FIO Linux* CentOS* 7.2, kernel 4.8.6, com 4 KB (4096 bytes) de tamanho de transferência, com profundade de fila 1 (1 comando). As medições são executadas em uma extensão completa do endereçamento de bloco lógico (LBA — Logical Block Address) da unidade assim que a carga de trabalho atinge o estado estacionário, mas incluindo todas as atividades de segundo plano necessárias para a operação normal e a confiabilidade dos dados. Modo de potência configurado em PM0.

4

Fonte: IEEE International Solid State Circuits. ISSCC 2015, J. Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H. Maejima; ISSCC 2019 C. Siau. As medições foram realizadas em componentes de SSDs usando porta flutuante e tecnologia charge trap flash. A plataforma de medição usada foi o sistema de teste de memória Teradyne Magnum 2, e a programação utilizando padrões e margens aleatórios foi quantificada usando comandos do cliente. Dados medidos em 08/2019.

Talvez o software e as cargas de trabalho utilizados nos testes de desempenho tenham sido otimizados apenas para desempenho em microprocessadores Intel®. Testes de desempenho, como SYSmark e MobileMark, são medidos usando sistemas de computação, componentes, software, operações e funções específicos. Qualquer modificação em algum desses fatores pode provocar variação nos resultados. Consulte outras informações e outros testes de desempenho para ajudá-lo a avaliar melhor as suas compras, incluindo o desempenho desse produto quando combinado com outros produtos. Para obter informações mais completas, acesse www.intel.com.br/benchmarks.

Os resultados do desempenho são baseados em testes na data mostrada nas configurações e podem não refletir todas as atualizações disponíveis ao público. Consulte o fabricante para obter os detalhes de configuração. Nenhum produto ou componente pode ser totalmente seguro.

Os seus custos e resultados podem variar.

As tecnologias Intel® podem exigir a ativação de hardware, software ou serviços.

© Intel Corporation. Intel e o logotipo Intel são marcas comerciais da Intel Corporation nos EUA e/ou em outros países. * Outros nomes e marcas podem ser reivindicados como propriedade de outros.