FPGA Intel® Stratix® 10 MX
O FPGA Intel® Stratix® 10 MX é o acelerador multifuncional essencial para computação de alto desempenho (HPC), data center, funções de rede virtual (NFV) e aplicações de transmissão. Esses dispositivos combinam a programabilidade e a flexibilidade dos FPGAs e FPGAs SoC Intel® Stratix® 10 com memória 2, 3D, empilhada, de alta largura de banda (HBM2). A arquitetura FPGA Intel® Hyperflex™ proporciona uma estrutura interna de alto desempenho no núcleo que pode utilizar de forma eficiente a largura de banda do bloco de memória do pacote. O bloco de memória de DRAM está conectado fisicamente ao FPGA usando a tecnologia Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) da Intel.
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FPGA Intel® Stratix® 10 MX
Recursos e benefícios
Maior largura de banda de memória
Os dispositivos Intel® Stratix® 10 MX oferecem 10x mais largura de banda em relação às soluções de memória dedicada atual, como a SDRAM DDR4. Os DIMMs DDR4 tradicionais oferecem largura de banda de cerca de 21 Gbps, enquanto 1 bloco HBM2 oferece até 256 Gbps. Os dispositivos Intel® Stratix® 10 MX integram até dois dispositivos HBM2 em um único pacote, permitindo uma largura de banda de memória máxima de até 512 Gbps.
Menor consumo de energia e desempenho ideal por watt
Os dispositivos Intel® Stratix® 10 MX integram a memória HBM2 próxima da estrutura interna do núcleo. A interconexão entre a estrutura interna do núcleo e a memória é bem mais curta, o que reduz a quantidade de energia normalmente gasta nos circuitos mais longos do PCB. Os percursos são não terminados e a carga capacitiva é reduzida, resultando em um consumo menor de corrente de E/S. O resultado líquido é menos energia consumida pelo sistema e desempenho ideal por watt.
Fator e facilidade de uso
O pacote Intel® Stratix® 10 MX integra os componentes de memória, reduzindo a complexidade do design do PCB. Essa implementação permite um formato menor e um modelo de uso simples, resultando em uma solução altamente flexível, fácil de usar e escalável. Um exemplo desse recurso é o SRAM embarcado (eSRAM), que complementa o bloco RAM já existente com uma largura de banda agregada 11,25x maior (leitura e gravação) e consumo total de energia 2,6x menor em relação ao QDR IV-10661. A SRAM embarcada aprimorada é ideal para aplicações que exigem os níveis mais altos de taxas de transação aleatória (RTR, Random Transaction Rates) ajudando a substituir ou minimizar a necessidade de QDR dedicado e consumo zero de E/S da EMIF.
Integração ao nível de chip usando EMIB
Uma inovadora tecnologia de empacotamento chamada Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) desenvolvida pela Intel, permite a integração eficaz de componentes críticos do sistema no pacote, como analógicos, memória, ASICs, CPU, etc. O EMIB oferece um fluxo de fabricação mais simples em comparação com outras tecnologias de integração no pacote. O EMIB elimina o uso de vias de silício (TSV, Through Silicon Vias) e silício intermediário especializado. O resultado são produtos de sistema em pacote (SiP) altamente integrados, que oferecem maior desempenho, menor complexidade e integridade superior de sinal e energia. Saiba mais sobre a tecnologia Intel EMIB.
Memória
FPGAs próximos da memória no pacote
As soluções de memória próxima da Intel integram a DRAM de alta densidade próxima ao FPGA no mesmo pacote. Nessa configuração, a memória no pacote pode ser acessada de maneira bem mais rápida, com largura de banda até 10x maior em comparação com a memória principal tradicional. Uma configuração com memória próxima também reduz o consumo de energia do sistema, por ser menor o percurso entre o FPGA e a memória, o que reduz também o tamanho da placa.
As soluções de sistema em pacote (SiP) de DRAM utilizam a memória 2 (HBM2) de alta largura de banda para eliminar gargalos de largura de banda de memória em sistemas de alto desempenho, que estão processando uma quantidade crescente de dados; isso inclui data centers, transmissão, rede com fio e sistemas computacionais de alto desempenho.
DRAM HBM2
A DRAM HBM2 é uma memória 3D que empilha verticalmente vários circuitos integrados de DRAM usando a tecnologia de vias de silício (TSV). Em comparação com soluções baseadas em DDR dedicadas, a DRAM HBM2 proporciona maior largura de banda de memória e formato menor, oferecendo assim a melhor largura de banda por watt.
Os dispositivos Intel® Stratix® 10 MX integram blocos HBM2 ao lado de um circuito integrado FPGA de 14 nm de alto desempenho para oferecer uma largura de banda de memória mais de 10x maior em comparação com as soluções de DRAM dedicadas.
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