Capacidade
512 GB
Status
Launched
Data de introdução
Q2'19
Condições de uso
PC/Client/Tablet

Especificações de desempenho

Leitura sequencial (até)
2300 MB/s
Gravação sequencial (até)
1300 MB/s
Random Read (8GB Span) (up to)
320000 IOPS (4K Blocks)
Random Write (8GB Span) (up to)
250000 IOPS (4K Blocks)
Energia - ativa
5.8W
Energia - ociosa
L1.2 : <13mW

Confiabilidade

Vibração - operacional
2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
Vibração - não-operacional
3.13 GRMS (5-800 Hz) Max
Choque (operacional e não operacional)
1000 G / 0.5 ms and 1500 G / 0.5 ms
Faixa de temperatura operacional
0°C to 70°C
Temperatura de operação (Máxima)
70 °C
Temperatura de operação (Mínima)
0 °C
Classificação de resistência (gravações no período de vida)
150 TBW
Tempo médio entre falhas (MTBF)
1.6 Million Hours
Taxa de erro de bits incorrigíveis (UBER)
< 1 sector per 10^15 bits read
Período de garantia
5 yrs

Informações complementares

Descrição resumida do produto
URL de informações adicionais
Descrição
Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

Especificações de encapsulamento

Peso
Less than 10 grams
Fator de forma
M.2 22 x 80mm
Interface
PCIe 3.0 x4, NVMe

Tecnologias avançadas

Proteção avançada de dados contra a perda de energia
Sim
Monitoração e registro em log da temperatura
Sim
Proteção de dados de End-to-End
Sim
Tecnologia Intel® Rapid Start
Sim