Memória do sistema para a Intel® Desktop Board DB65AL

Documentação

Compatibilidade

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10/06/2020

 

Recursos de memória do sistema
A placa tem quatro soquetes DIMM e suporta os seguintes recursos de memória:

  • Dois canais independentes de memória com suporte para o modo entrelaçado
  • Suporte para DIMMs não ECC, sem buffer, de lado único ou lado duplo com a organização x8
  • memória total máxima de sistema de 32 GB (com tecnologia de memória de 4 GB)
  • Memória total mínima do sistema: 1 GB usando o módulo x8 de 1 GB
  • Detecção de presença serial
  • MEMÓRIA DIMM DDR3 de 1333 MHz e DDR3 de 1066 MHz

Para serem totalmente compatíveis com todas as especificações aplicáveis de memória SDRAM DDR, a placa deve ser preenchida com DIMMs que suportam a estrutura de dados de Serial Presence Detect (SPD). Assim, o BIOS lê os dados SPD e programa o chipset para configurar com precisão as configurações de memória para um desempenho otimizado. Se a memória não SPD estiver instalada, o BIOS tentará configurar corretamente as configurações de memória, mas o desempenho e a confiabilidade podem ser impactados ou os DIMMs podem não funcionar sob a frequência determinada.

1,5 v é a configuração padrão e recomendada para a tensão de memória DDR3. As outras configurações de voltagem de memória no programa de configuração do BIOS são fornecidas somente para fins de ajuste de desempenho. Alterar a voltagem da memória pode (i) reduzir a estabilidade do sistema e a vida útil do sistema, da memória e do processador; (II) provocar a falha do processador e de outros componentes do sistema; (III) provocar reduções no desempenho do sistema; (IV) causar calor extra ou outros danos; e (v) afetar a integridade dos dados do sistema.

A Intel não testou e não garante o funcionamento do processador além de suas especificações. Para obter informações sobre a garantia do processador, consulte as informações sobre garantia do processador.

Configurações de memória aceitas

 

Capacidade do DIMMConfiguraçãoDensidade da SDRAMOrganização de SDRAM de frente/versoNúmero de dispositivos de SDRAM
512 MBFace única1 Gbit64 M x 16/vazio4
1 GBFace única1 Gbit128 M x 8/vazio8
1 GBFace única2 Gbit128 M x 16/vazio4
2 GBDupla face1 Gbit128 m x 8/128 M x 816
2 GBFace única2 Gbit128 M x 16/vazio8
4 GBDupla face2 Gbit256 m x 8/256 M x 816
8 GBDupla face4 Gbit512 m x 8/512 M x 816

Memória testada de terceiros

A tabela abaixo lista as peças que passaram no teste durante o desenvolvimento. Esses números de peça podem não estar prontamente disponíveis ao longo do ciclo de vida útil do produto.

 

Fabricante do móduloNúmero de peça do móduloTamanho do móduloVelocidade do móduloECC ou não ECCFabricante do componenteNúmero de peça do componente
HynixHMT112U6BFR8C-G71 GB1066 MHzNão ECCHynixHMT112U6BFR8C-G7
HynixHMT112U6AFP8C-H91 GB1333 MHzNão ECCHynixHMT112U6AFP8C-H9
HynixHMT125U7AFP8C-G7T02 GB1066 MHzNão ECCHynixHMT125U6AFP8C-G7T0
HynixHMT125U6BFR8C-H92 GB1333 MHzNão ECCHynixHMT125U6BFR8C-H9
HynixHMT351U6AFR8C-G74 GB1066 MHzNão ECCHynixHMT351U6AFR8C-G7
HynixHMT351U6AFR8C-H94 GB1333 MHzNão ECCHynixHMT351U6AFR8C-H9
MícronMT8JTF12864AY-1G1D11 GB1066 MHzNão ECCMícronMT8JTF12864AY-1G1D1
MícronMT8JTF12864AY-1G4D11 GB1333 MHzNão ECCMícronMT8JTF12864AY-1G4D1
MícronMT16JTF25664AY-1G1D12 GB1066 MHzNão ECCMícronMT16JTF25664AY-1G1D1
MícronMT16JTF25664AZ-1G4F12 GB1333 MHzNão ECCMícronMT16JTF25664AZ-1G4F1
MícronMT16JTF51264AZ-1G1D14 GB1066 MHzNão ECCMícronMT16JTF51264AZ-1G1D1
MícronMT16JTF51264AZ-1G4D4 GB1333 MHzNão ECCMícronMT16JTF51264AZ-1G4D
SamsungM378B2873DZ1-CF81 GB1066 MHzNão ECCSamsungM378B2873DZ1-CF8
SamsungM378B2873EH1-CH91 GB1333 MHzNão ECCSamsungM378B2873EH1-CH9
SamsungM378B5673DZ1-CF82 GB1066 MHzNão ECCSamsungM378B5673DZ1-CF8
SamsungM378B5673DZ1-CH92 GB1333 MHzNão ECCSamsungM378B5673DZ1-CH9
SamsungM378B5273BH1-CF84 GB1066 MHzNão ECCSamsungM378B5273BH1-CF8
SamsungM378B5273BH1-CF94 GB1333 MHzNão ECCSamsungM378B5273BH1-CF9