Altera® IBIS contêm três tipos de condições para representar o desempenho de E/S em todas as variações de processo, tensão e temperatura (PVT). Estes também são chamados de cantos PVT. No entanto, os três cantos PVT não representam a gama completa de desempenho para cada uma das categorias de velocidade do dispositivo disponível, em vez disso, eles representam a gama completa de desempenho para a família de dispositivos. As três condições modeladas no IBIS são:
- Fast-Strong são as melhores condições de caso
- Silício rápido
- Alta tensão
- Baixa temperatura
- As condições nominais são típicas
- Silício típico
- Tensão nominal
- Temperatura ambiente
- Lentidão são as piores condições de caso
- Silício lento
- Baixa tensão
- Alta temperatura
Dentro de cada grau de velocidade, há variação de processo também. O modelo de IBIS rápido e forte representa o silício mais rápido possível, mas não é totalmente representativo de desempenho para dispositivos de velocidade rápida, uma vez que o modelo rápido e forte não mostra o desempenho mais lento dos dispositivos de velocidade rápida.
Para dispositivos de velocidade rápida e média, você não pode varrer todo o processo, a tensão e as condições de temperatura com os modelos IBIS. O desempenho de E/S depende do grau de velocidade do dispositivo. Seu projeto pode usar uma saída de taxa máxima em um dispositivo de velocidade rápida e, em seguida, descobrir que ele não pode operar nesse ritmo ao usar as condições de modelo lenta e fraca. Isso porque o modelo lento e fraco tem o silício mais lento, que não se aplica a um dispositivo de velocidade rápida. Assim, você não deve usar o modelo lento e fraco para simular o desempenho de E/S do dispositivo de velocidade rápida.
Para determinar melhor as piores condições de caso para um dispositivo de velocidade rápida, você pode usar o modelo típico, pois isso irá vinculado à variação do processo. No entanto, o modelo típico também está em tensão nominal e temperatura nominal, de modo que isso não representa as piores condições ambientais a que o dispositivo pode ser exposto durante a operação.
Ao simular dispositivos de velocidade lenta, você deve usar os três cantos do modelo, uma vez que dispositivos de grau de velocidade lenta podem ter silício que executa em qualquer lugar dentro dos modelos rápidos e lentos. Isso é semelhante ao desempenho da análise de sincronização de vários cantos, você verá maior variação de desempenho com dispositivos de velocidade lenta do que com dispositivos de velocidade rápida.
Essas limitações precisam ser consideradas ao simular com modelos de IBIS.
Para uma representação mais precisa de como as condições ambientais, como a tensão e a temperatura afetam os três cantos do processo, você pode usar os modelos HSPICE e as ferramentas de simulação adequadas. O HSPICE permite que você varie as condições de tensão e temperatura separadamente para cada canto do processo.
Quando você gera modelos de IBIS ou HSPICE no software Quartus® II para seu projeto, os arquivos gerados representam o uso de E/S em seu design. Os arquivos são independentes do grau de velocidade do dispositivo e incluirão os cantos PVT que representam toda a família de dispositivos em todas as categorias de velocidade.