ID do artigo: 000082197 Tipo de conteúdo: Solução de problemas Última revisão: 11/09/2012

O que acontece quando eu faço uma leitura e gravação simultâneas no mesmo endereço em RAM de porta dupla?

Ambiente

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT
Descrição

Há uma série de possibilidades diferentes ao tentar ler e gravar simultaneamente no mesmo endereço em RAM de porta dupla no software Quartus® II e no software MAX PLUS® II.

Quando a porta de saída da RAM não for listada, uma das seguintes situações ocorrerá:

Caso 1: a frequência do relógio de leitura é superior a 2 vezes a frequência do clock de gravação. O relógio de gravação não escreveu os dados neste momento; portanto, o clock de leitura acessa o valor dos dados antigos.

Caso 2: a RAM de porta dupla usa o mesmo clock para leitura e escrita. Os dados recém-escritos aparecem na saída (tEABDD), após a borda de queda do clock. Em frequências de clock mais lentas, o valor dos dados antigos pode aparecer logo após a borda ascendente do clock seguido pelos dados recém-escritos, que aparecem em tEABDD após a borda de queda.

Quando a porta de saída da RAM estiver registrada, as seguintes condições são:

Caso 1: o clock de leitura é muito rápido (frequência >EABDD de 1/t). A saída q lê o valor dos dados antigos.

Caso 2: a RAM de porta dupla usa o mesmo clock para leitura e escrita. A saída q lê o valor de dados recém-escrito.

Caso 3: os clocks de leitura e gravação não têm relação, e o relógio de leitura tem uma frequência menor que 1/tEABDD. A saída q lê o valor de dados recém-escrito.

Go to:TEABDD é o atraso válido de data-in para data-out do EAB para FLEX®Dispositivos 10K e tESBDD é o atraso válido para data-in-data-out do ESB para APEXTmDispositivos 20K; esses parâmetros são especificados na ficha técnica da família de dispositivos apropriada.

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