Construa com tecnologias de processo de fabricação de ponta
Beneficie-se do legado da Intel de oferecer inovação consistente que continua hoje com a Intel Foundry.
Além de cinco nós em quatro anos (5N4Y)
Com a execução para nossa ambiciosa meta de cinco nós em quatro anos (5N4Y) em andamento, a Intel revelou no Intel Foundry Direct Connect '24 um roteiro de tecnologia de processo estendido, adicionando:
- Intel 14A ao plano de nós de vanguarda da empresa,
- Várias evoluções de nós especializados para Intel 3, Intel 18A e Intel 14A, incluindo o Intel 3-PT com vias de silício para designs de encapsulamento avançado 3D e
- Nós de processo maduros, incluindo novos nós de 12 nanômetros esperados por meio do desenvolvimento conjunto com a UMC.
Os clientes prontos para projetar podem começar seu envolvimento com a Intel Foundry hoje mesmo.
Intel 18A: a maior inovação desde o FinFET
Apresenta RibbonFET e PowerVia:
- Nossa maior inovação desde que a Intel apresentou os FinFETs à HVM em 2011.
- RibbonFET, a implementação de um transistor de Gate-all-around (GAA) pela Intel Foundry, melhora a densidade e o desempenho em comparação com o FinFET.
- A pilha de faixas otimizada oferece desempenho superior por watt e tensão de alimentação mínima (Vmin).
- A PowerVia é a primeira implementação exclusiva da Intel no setor de arquitetura de fornecimento de energia traseira que melhora a utilização de células padrão em 5 a 10% e o desempenho de energia ISO em até 4%.1
- Adequado para Computação de alto desempenho (HPC) e aplicativos móveis.
Intel 3: O nó de FinFET mais avançado da Intel
Alto desempenho por watt com uso extenso de luz ultravioleta extrema (EUV):
- Evolução da Intel 4 com densidade de chip de 1,08x e melhoria de 18% no desempenho por watt.2
- Adiciona biblioteca mais densa, melhora a corrente de acionamento e interconexão, ao mesmo tempo em que se beneficia dos aprendizados do Intel 4 para uma rampa de rendimento mais rápida.
- Adequado para aplicativos de computação geral.
12nm: expansão da escolha do cliente em colaboração com a UMC
Expansão do nosso portfólio por meio de uma parceria inovadora:
- UMC e Intel Foundry estão colaborando no desenvolvimento de uma plataforma de tecnologia de 12nm, reunindo a experiência em FinFET da Intel com a lógica e a experiência em modo misto/RF da UMC.
- Competitivo com o setor de 12nm.3
- Oferece ao cliente maior escolha em suas decisões de fornecimento com acesso a uma cadeia de fornecimento mais diversificada geograficamente e resiliente.
- Adequado para mercados de alto crescimento, como dispositivos móveis, conectividade sem fio e aplicativos de rede.
Intel 16: o gateway ideal para FinFET
Vantagens dos FinFET com flexibilidade planar:
- Desempenho de um nó de classe de 16nm com menos máscaras e regras de design de back-end mais simples.
Agora em pré-visualização: Intel 14A
PowerVia da 2ª Geração combinada com RibbonFET
- Primeira EUV de alta abertura numérica (alta NA) do setor
- A alta NA é fundamental para a escalabilidade econômica.
Veja nossas outras ofertas de fundição de classe mundial
Para ajudar você a construir a próxima geração de chip de silício, nossas ofertas exclusivas são habilitadas por tecnologias de processo avançadas complementadas por nosso ecossistema de parceiros de design robusto.
Fabricação global
Beneficie-se de um fornecimento robusto, geodiverso e em expansão para wafers, e montagem e teste.
Ecossistema de design
Reinvente seus projetos com uma combinação exclusiva de tecnologia Intel Foundry, IP, EDA e serviços por meio do programa de alianças do ecossistema de aceleradores da Intel Foundry.
Portal da Intel Foundry
Avisos legais e isenções de responsabilidade4
Informações de produto e desempenho
Uma tecnologia de plataforma FinFET Intel 3 avançada para computação de alto desempenho e aplicativos de produtos SOC, apresentada como parte do Simpósio VLSI 2024.
De acordo com as especificações de design do nó.
Esta página da Web contém declarações prospectivas sobre os planos ou expectativas futuras da Intel, inclusive com relação a tecnologias e produtos futuros e os benefícios esperados, além da disponibilidade de tais tecnologias e produtos. Essas declarações são baseadas nas expectativas atuais e envolvem muitos riscos e incertezas que podem causar resultados reais materialmente diferentes daqueles expressos ou implícitos em tais declarações. Para obter mais informações sobre os fatores que podem fazer com que os resultados reais sejam substancialmente diferentes, consulte nossa mais recente divulgação de resultados e registros SEC (Securities and Exchange Commission) em www.intc.com.