A instalação está completa e a calibração iniciada na ferramenta de litografia High Numerical Aperture Extreme Aperical Extreme Athography da Intel em uma sala limpa na Fab D1X da Intel Corporation em Hillsboro, Oregon, em abril de 2024. A ferramenta EUV High NA de 165 toneladas foi construída pelo ASML e é o primeiro sistema de litografia comercial do tipo no mundo. A máquina permitirá que a Intel Foundry continue sua busca pela Lei de Moore criando para seus clientes chips poderosos com transistores cada vez menores. (Crédito: Intel Corporation)
A instalação está completa e a calibração iniciada na ferramenta de litografia High Numerical Aperture Extreme Aperical Extreme Athography da Intel em uma sala limpa na Fab D1X da Intel Corporation em Hillsboro, Oregon, em abril de 2024. A ferramenta EUV High NA de 165 toneladas foi construída pelo ASML e é o primeiro sistema de litografia comercial do tipo no mundo. A máquina permitirá que a Intel Foundry continue sua busca pela Lei de Moore criando para seus clientes chips poderosos com transistores cada vez menores. (Crédito: Intel Corporation)
A instalação está completa e a calibração iniciada na ferramenta de litografia High Numerical Aperture Extreme Aperical Extreme Athography da Intel em uma sala limpa na Fab D1X da Intel Corporation em Hillsboro, Oregon, em abril de 2024. A ferramenta EUV High NA de 165 toneladas foi construída pelo ASML e é o primeiro sistema de litografia comercial do tipo no mundo. A máquina permitirá que a Intel Foundry continue sua busca pela Lei de Moore criando para seus clientes chips poderosos com transistores cada vez menores. (Crédito: Intel Corporation)
Na sala limpa do Fab D1X da Intel Corporation em Hillsboro, Oregon, o Intel Fellow Mark Phillips dá resumos à mídia sobre a ferramenta de litografia Extreme De Abertura Numérica da empresa. A ferramenta EUV High NA de 165 toneladas foi construída pelo ASML e é o primeiro sistema de litografia comercial do mundo. A máquina permitirá que a Intel Foundry continue sua busca pela Lei de Moore criando para seus clientes chips poderosos com transistores cada vez menores. (Crédito: Intel Corporation)
Na sala limpa do Fab D1X da Intel Corporation em Hillsboro, Oregon, o Intel Fellow Mark Phillips dá resumos à mídia sobre a ferramenta de litografia Extreme De Abertura Numérica da empresa. A ferramenta EUV High NA de 165 toneladas foi construída pelo ASML e é o primeiro sistema de litografia comercial do mundo. A máquina permitirá que a Intel Foundry continue sua busca pela Lei de Moore criando para seus clientes chips poderosos com transistores cada vez menores. (Crédito: Intel Corporation)
O que há de novo: A Intel Foundry reportou um marco fundamental na fabricação avançada de semicondutores com a montagem completa da primeira abertura numérica comercial do setor (High NA) Extreme Diagrama (EUV), localizada no local de P&D (Hillsboro, Oregon, R&D) da empresa. A ferramenta TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV da Intel, líder em litografia ASML, está passando por etapas de calibração em preparação para a produção do futuro roteiro de processos da Intel. A nova ferramenta tem a capacidade de melhorar drasticamente a resolução e o dimensionamento de recursos para processadores de próxima geração, alterando o design ótico para projetar imagens impressas em um wafer de silício.
"Com a adição do High NA EUV, a Intel terá a caixa de ferramentas de litografia mais completa do setor, permitindo que a empresa impulsione recursos de processo futuros além da Intel 18A até a segunda metade desta década."
Por que importa: As altas ferramentasUEV de NA desempenharão um papel fundamental no desenvolvimento avançado de chips e na produção de processadores de última geração. A Intel Foundry, a primeira motora do setor em High NA EUV, poderá fornecer precisão e escalabilidade nunca antes vistas na fabricação de chips, permitindo que a empresa desenvolva chips com os recursos e capacidades mais inovadores que são essenciais para impulsionar os avanços em IA e outras tecnologias emergentes.
A ASML anunciou recentemente que imprimiu as primeiras 10 linhas densas de 10 nanômetros (nm) no laboratório da High NA na sede da empresa em Veldhoven, Holanda. Estas são as melhores linhas já impressas, estabelecendo uma resolução recorde mundial para um scanner de litografia EUV. Esta demonstração valida o inovador design de óptica High NA EUV do parceiro Zeiss da ASML.
Imagens revolucionárias foram impressas após a óptica, sensores e estágios da ferramenta completarem a calibração da codificação — um passo em execução com a especificação completa. A capacidade da ASML de imprimir linhas densas de 10 nm com um sistema de litografia óptica de campo completo é um passo fundamental para preparar a ferramenta HIGH NA EUV para uso comercial.
Como funciona: Quando combinado com os outros recursos de tecnologia de processo líderes da Intel Foundry, espera-se que o High NA EUV seja capaz de imprimir recursos até 1,7x menor do que as ferramentas EUV existentes. Isso permitirá o dimensionamento de recursos 2D, resultando em densidade até 2,9 vezes maior. A Intel continua a liderar o caminho para uma padronização cada vez menor e cada vez mais densa que impulsiona a Lei de Moore em todo o setor de semicondutores.
Em comparação com 0,33NA EUV, o High NA EUV (ou 0,55NA EUV) pode proporcionar um contraste mais elevado de imagens para recursos semelhantes, o que permite menos luz por exposição, reduzindo assim o tempo necessário para imprimir cada camada e aumentando a saída de wafer.
A Intel espera utilizar EUV de 0,33NA e EUV de 0,55NA juntamente com outros processos de litografia no desenvolvimento e fabricação de chips avançados, começando com pontos de prova de produto na Intel 18A em 2025 e continuando na produção da Intel 14A. A abordagem da Intel otimizará a tecnologia de processos avançada para custo e desempenho.
Sobre a função da Intel: A Intel tem colaborado com o ASML há décadas para impulsionar a evolução da litografia de imersão de 193 nm ao EUV, e agora para o High NA EUV. O resultado é o TWINSCAN EXE:5000, uma das ferramentas de fabricação mais avançadas construídas. A adoção de litografia high NA EUV coloca a empresa na vanguarda do escalonamento da lei de Moore, movendo a empresa bem para a Era Angstrom.
O sistema TWINSCAN EXE:5000 foi transportado para Oregon em mais de 250 caixas dentro de 43 contêineres de carga. Estes foram carregados em vários aviões de carga que aterrissaram em Seattle. Eles foram então transferidos para 20 caminhões para a unidade para Oregon. O peso total de cada novo sistema é de mais de 150 toneladas métricas. (Consulte o infográfico/ficha técnica para obter mais informações.)
A Intel anunciou seus planos de adotar o High NA EUV em 2021, e em 2022 a Intel e a ASML anunciaram sua contínua colaboração para impulsionar essa tecnologia avançada. A Intel planeja adquirir o sistema TWINSCAN EXE:5200B de última geração, com uma produtividade de mais de 200 wafers por hora, tornando a empresa a primeira motora do setor nesse sistema também.
Saiba mais sobre o alto EUV: A litografia de EUV alta é um passo evolucionário além da litografia euv, que usa um comprimento de onda de luz (13,5 nm) que não ocorre naturalmente na Terra. A luz é criada por um poderoso laser atingindo uma gotícula de lata aquecida a uma temperatura de quase 220.000 graus Celsius — quase 40 vezes mais quente que a temperatura média da superfície do sol. Essa luz reflete uma máscara contendo um modelo do padrão de circuito desejado e, em seguida, através de um sistema óptico construído com os espelhos mais precisos já fabricados.
A Abertura Numérica (NA) é uma medida da capacidade de coletar e concentrar a luz. Ao alterar o design da óptica usada para projetar um padrão em um wafer, a tecnologia High NA EUV permite um avanço significativo na resolução e no tamanho do transistor. A capacidade de criar transistores nessas dimensões menores também requer novas estruturas de transistores e melhorias em outras etapas de processo que a Intel está desenvolvendo em paralelo à integração do primeiro sistema UEV do Alto NA.
Sobre o site de pesquisa e desenvolvimento do Oregon da Intel Foundry: Oregon está no centro da pesquisa e desenvolvimento de tecnologia de processos da Intel. Para abrir caminho para esta última geração de ferramentas de litografia, a Intel abriu o Mod 3 em 2022, um investimento de mais de US$ 3 bilhões na expansão de sua fab D1X em Oregon, adicionando 270.000 metros quadrados de espaço de sala limpa.
Traduzindo pesquisas sobre produtos manufaturados, de ponta e do mundo real é onde a Intel se destaca há mais de 50 anos. Investir em R&D e em ferramentas como a High NA EUV ajudará a expandir a capacidade de fabricar chips internamente e revitalizar a R&D com sede nos EUA para atender aos objetivos econômicos e de segurança nacionais. A expansão da R&D e o uso das últimas ferramentas de litografia em Oregon também ajudarão a criar novos empregos e atrair o melhor talento para o Noroeste. A Intel está pronta para ajudar a acelerar a próxima geração de tecnologia e fabricação de semicondutores dos EUA hoje e no futuro.
Mais contexto: High NA EUV at Intel (Press Kit)